1962年，激光镭射膜电晕处理装置美国霍尔制造了p-n同质结的DI半导体激光器。产生激光必须满足三个条件：粒子数反转分布、谐振腔和电流超过一定阈值。1963年，美国的Kremer和苏联的Alferov分别独立制作了异质结激光器，即图8中，在结区使用了一种带隙较小的材料，如GaAs；另一种宽禁带材料，如AlxGa1-xAs用于两侧的p区和n区。这样，发光区域被限制在窄结区中。从而大大提高了发光效率，降低了激光器的阈值电流。
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低温电晕中粒子的能量一般高于高分子聚合物的许多键能，激光镭射膜电晕处理装置因此，当电晕中的电子或离子到达介质表面时，聚合物中的某些化学键很容易被打开，使其变成自由基，如CH、OH、CN、CS和COOH等，甚至使有机大分子的分子键断裂分解，从而加速材料表面的活化，改变其表面活性。
激光镭射膜电晕处理装置
