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电晕达因值和附着力

等离子表面处理机台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响: 除了等离子表面处理机蚀刻本身对多晶硅栅尺寸的影响外,达因值大表面张力大吗浅沟槽隔离带来的表面形貌起伏(Topography) 也对多晶硅栅尺寸具有明显的影响。(浅沟槽隔离的台阶高度表征了多晶硅生长前的晶片表面形貌。由于炉管多晶硅的平坦化生长,正的台阶高度(浅沟槽隔离氧化硅上表面高于体硅有源区)会导致靠近浅沟槽隔离区的多晶硅变厚,进而影响多晶硅栅的侧壁角度。

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