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硅片刻蚀的目的是什么

等离子刻蚀机又称等离子刻蚀机、等离子表面刻蚀机、等离子表面处理装置、等离子清洗系统等。等离子刻蚀机技术是干法刻蚀的一种常见形式。其原理是暴露于电子域的气体形成等离子体,刻蚀后亲水性等离子体产生等离子体,放出由高能电子组成的气体,形成等离子体或离子。在电场的情况下,释放的力足以粘附到材料或蚀刻表面并与表面驱动力相结合。在某种程度上,等离子清洗实际上是等离子刻蚀过程中的一个小现象。

刻蚀后亲水性

该装置放弃了大面积均匀性的要求,湿法刻蚀后亲水性在直径2mm的范围内,采用CF()/He作为放电气体和70W的射频功率,在硅片上本得了5nm/s的刻蚀速率。这种装置可以认为是n-TECAPPJ所用装置的前身。由于其消耗的平均功率非常小,所产生的等离子体射流对环境以及被处理材料表面几乎没有什么热效应,因此可以将其称为“冷等离子体射流”。

等离子清洗机是一种多功能等离子表面处理设备,湿法刻蚀后亲水性可配置等离子、蚀刻、等离子化学反应、粉末等等...

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