等离子体发生器中氧等离子体对AlGaN/GaNHEMT表面处理的影响；宽禁带光电子器件（GaN）因其优异的物理、化学和电学性能而受到广泛的研究。公司已成为继硅(Si)、第二代光电子器件(GaAs)、磷化铝(GaAs)、磷化铜（InP）等一批光电子器件之后迅速发展起来的第三代光电子器件。
对于III-V化合物，磷化的附着力IMEC(微电子研究中心，成员包括Intel公司、IBM公司、台积电公司、三星公司等半导体业界巨头)很早以前已经宣布成功在等离子体蚀刻300mm(22nm)晶圆上整合磷化锢和砷化锢家，开发出 FinFET化合物半导体。
等离子体蚀刻机的典型应用有:半导体/集成电路;氮化镓;氮化铝镓/氮化镓;砷化镓/砷化铝镓;磷化铟、铟铝砷/铟镓砷(InP InGaAs/InAlAs);硅;硅锗。
为此，磷化的附着力作者研制了另一种混合气体Cl2/N2/Ar，采用不同的刻蚀机理，加入N2通过物理轰击去除磷化铟。这种方法可以实现钢样的垂直磷化。对不同流量比的蚀刻速率和选择性比的研究总结在表8.2中。我们可以看到，在没有N2的情况下，选择率较高，但表面粗糙度较差：随着N2的增加，表面粗糙度不断提高，但会牺牲大量的选择率。
磷化的附着力
