等离子体发生器中氧等离子体对AlGaN/GaNHEMT表面处理的影响；宽禁带光电子器件（GaN）因其优异的物理、化学和电学性能而受到广泛的研究。公司已成为继硅(Si)、第二代光电子器件(GaAs)、磷化铝(GaAs)、磷化铜（InP）等一批光电子器件之后迅速发展起来的第三代光电子器件。
对于III-V化合物，磷化的附着力IMEC(微电子研究中心，成员包括Intel公司、IBM公司、台积电公司、三星公司等半导体业界巨头)很早以前已经宣布成功在等离子体蚀刻300mm(22nm)晶圆上整合磷化锢和砷化锢家，开发出 FinFET化合物半导体。
等离子体蚀刻机的典型应用有:半导体/集成电路;氮化镓;氮化铝镓/氮化镓;砷化镓/砷化铝镓;磷化铟、铟铝砷/铟镓砷(InP InGaAs/InAlAs);硅;硅锗。
为此，磷化的附着力作者研制了另一种混合气体Cl2/N2/Ar，采用不同的刻蚀机理，加入N2通过物理轰击去除磷化铟。这种方法可以实现钢样的垂直磷化。对不同流量比的蚀刻速率和选择性比的研究总结在表8.2中。我们可以看到，在没有N2的情况下，选择率较高，但表面粗糙度较差：随着N2的增加，表面粗糙度不断提高，但会牺牲大量的选择率。
磷化的附着力
D还是不同等级的生产环境，均可以给客户提供工艺关联的、控制连续的、可靠的、和可重复的真空气体等离子处理系统。plasmaFPC 系列等离子处理机器适合于广泛的等离子清洗、表面活化和粘接力增强应用。这些能力可用于半导体封装工厂，微电子封装和组装，也可以用于医药和生命科学器件的生产。
所得纯度等级较高。当氧化铜还原反应发生时，氧化铜与氢混合气体-等离子体接触，氧化物会发生化学还原反应产生蒸汽。该气体混合物含有Ar/H2或N2/H2，其中H2含量大于5%。对于大气等离子体来说，在其工作过程中消耗了大量的气体。_等离子处理器处理的主要优点是什么？该技术适用于保护连续型材、管件、粘接、粘接或涂覆前等离子清洗等在线工艺。该技术适用于机器人，即借助机器人离子处理器扫描机器人表面。
高温等离子体，如太阳能，可控热核聚变等离子体。低温等离子体可分为热等离子体和冷等离子体，热等离子体如电弧、高频和燃烧等离子体，冷等离子体如低压辉光放电等离子体、电晕放电等离子体和介质阻挡放电等离子体。低温等离子体加工设备按气压等级可分为低压低温等离子体(如辉光放电、微波放电等离子体)和常压低压等离子体(如电晕放电、DBD等离子体)。按频率可分为直流放电、高频放电和微波等离子体放电。
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