大量累积电荷会引起绝缘子附近的电场畸变，纳米附着力导致绝缘子放电，甚至沿面闪络，严重威胁直流GIL设备的安全（满）稳定运行。随着材料科学的发展，越来越多的学者开展了绝缘材料表面改性或纳米改性的研究，可以增加绝缘材料的电荷耗散率，提高绝缘材料的耐压性能。
虽然是纳米，纳米附着力但由于材料特性和工艺复杂，低k击穿问题与栅氧化层击穿一样困难。高温高压应力下低k材料SiCOH的漏电流随时间变化，初期电流明显减小。这通常是因为电荷被困在电介质中。充电引起的漏电流开始缓慢增加，这个阶段会持续很长时间，直到电流急剧增加或发生破坏。典型的 Cu/low-k 衰减模式通常沿着 low-k 和上覆层之间的界面，具有明显的 Cu 离子扩散。故障可能是电介质中的键断裂或金属扩散到绝缘体中。
使用纳米金&ldquo；脚手架&rdquo；制作了悬挂在上面的单层石墨烯薄膜，纳米附着力改进剂发现悬挂的石墨烯薄膜不是&ldquo；二维平面结构&rdquo；，但与&ldquo；类微波单层结构；而石墨烯单层结构的稳定性归功于其&ldquo；纳米尺度上的微观畸变&rdquo；.石墨烯是一种零禁带材料，即使在室温下，电子和空穴也能连续存在。
集成电路的尺寸将越来越小，纳米附着力改进剂将出现新的量子效应器件；宽禁带半导体代表了一个新的方向，将在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用；纳米电子器件有可能作为下一代的半导体微电子和光电子器件；利用单电子、单光子和自旋器件作为量子调控，将在量子计算和量子通信的实用化中起关键作用。
纳米附着力
