电晕处理器（电晕处理器有多大电） 过刻蚀量过少会导致多晶硅栅侧壁底部站稳，舒曼电晕处理器有多大电过刻蚀量过大会导致上部缩颈效应加剧。电晕表面处理器的过蚀刻步骤虽然采用了对栅氧化硅具有高蚀刻选择性的HBR/O2蚀刻工艺，但仍易造成硅点蚀和硅损伤。硅穿孔通常是由于主刻蚀步骤刻蚀过度，触及栅氧化硅，或者HBR/O2工艺缺乏优化，导致刻蚀选...
