Oates建议用两阶段缺陷形核和缺陷生长模型代替现有的只考虑缺陷形核的根号E模型来延长外推失效时间。由于高电压下缺陷生长非常迅速，td表面处理测量的失效时间只表征了缺陷形核过程，而低电压下缺陷生长要慢得多，这个时间在模型中没有反映。缺陷形核和长大的过程可以用两级应力测量技术来表征。按此方法，低K TDDB的失效时间可延长数个数量级。该方法还处于讨论阶段，需要更多来自工业界的实验数据来验证。
同时影响光缆生产企业的供货效率；（2）打印胶带成本较高，金属td表面处理易造成白色污染；（3）生产中印刷胶带经常断裂，印刷质量差；（4）设备速度低，影响整条生产线的速度；（5）印刷后光缆表面护套被破坏，甚至套管可能被压扁，导致OTDR上测试曲线出现台阶；（6）打印间距有限，错印后重新打字困难且效率低。
另一方面，td表面处理IMEC发现在低至-70℃的超低温刻蚀温度下没有碳耗尽层，侧壁含有C、H、O的反应副产物在超低温下液化并渗透到低K薄膜的孔隙中，阻止了等离子体损伤。增加金属丝间距，提高间距的均匀性可以有效地改善TDDB。碳耗尽层由于K值较高需要尽可能去除，因此减小等离子体损伤导致的碳耗尽层厚度可以有效增加介电宽度。在一定间距下，导线间距的增大意味着导线变细，会导致导线电阻、电容增大，孔洞难以填充。
等离子清洗机在车用LED灯具上的应用；精准的等离子局部预处理，td表面处理激活关键区域非极性材料表面活性，确保汽车大灯的稳定粘接和长时间密封，有效提升...
