碳化硅元件已经应用于汽车逆变器，氮化硼涂料在金属的附着力氮化镓快速充电器也在市场上。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。 趋势二、后“量子霸权”时代，量子纠错和实用优势是主要提议。 2020年是后量子霸权元年，全球对量子计算的投资持续增长。许多平台丰富多彩，技术和生态蓬勃发展。这一趋势将在2021年继续推动社会的关注和期待。量子计算研究需要证明其实用价值。
由于行业大规模商用，氮化硼涂料在金属的附着力氮化镓制造成本有望快速下降，进一步刺激氮化镓器件的渗透，成为消费电子领域的下一个杀手级应用。氮化镓 (GaN) 主要用于制造功率器件。目前，三分之二的 GaN 器件用于军用电子设备，如军用通信、电子干扰和雷达。在私营部门，氮化镓主要用于通信基站、电力设备等领域。 GaN基站PA的功放效率高于其他材料，节省了大量功率，几乎覆盖了无线通信的所有频段，并且可以缩小尺寸，功率密度高。基站质量。
侧壁等离子处理器的主要蚀刻一般使用 CF4 气体来蚀刻掉大部分氮化硅，氮化硼涂料附着力使其不接触下面的硅。过刻蚀利用CH3F/O2气体对氮化硅和氧化硅实现高刻蚀选择性，一定量的过刻蚀去除剩余的氮化硅。硅沟槽是在等离子处理器中通过干法和湿法蚀刻的组合形成的。干法蚀刻用于电感耦合硅蚀刻机中的体硅蚀刻。采用 HBr/O2 气体工艺。侧壁和栅极硬掩模层的高选择性可以有效防止多晶硅栅极的暴露。
例如，氮化硼涂料附着力使用等离子体中的二次电子联系来消(除)不必要的化合物或分解氮化物。 气体中激发环境和电离环境粒子的存在使等离子体表面清洗机中可能存在新的化学反应过程。在传统化学中，分子能量在0~0.5eV范围内发生反应。在光化学中，驱动能量在0~7eV范围内，与光激发环境分子有关。另外，等离子体化学具有更广泛的能量反应范围，与激发、离解、电离分子等有关。
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