这一点很重要，外延片刻蚀设备因为锗的多层结构一般是外延产生的，而锗的感应层和层间结构一般都是合金材料，选择高比例的工艺可以更好地控制这种多层结构的刻蚀。我们知道CF4也是一种高活性化学蚀刻气体。从效果上看，在CF4中加入人氧的蚀刻选择率较高，因为氧气更容易与底层材料(Sn)发生反应，形成表面保护膜，防止进一步蚀刻，提高了选择率。CF4蚀刻的形貌较好，而氯蚀刻的优点是损伤小，有利于界面层和通道层。
硅片作为晶圆制造的原材料，外延片刻蚀机器其质量的好坏直接决定了晶圆制造的稳定性。90%以上的半导体芯片是由硅片制成的。所生产的半导体硅片可分为抛光硅片、退火硅片、外延硅片、分段硅片和绝缘体硅片。其中，一些抛光片应用广泛，数量也大，其他半导体硅产品也是在抛光片的基础上进行二次加工。
因为金刚石膜可以很难保持涂层、光学窗口、散热材料、微电子等许多类别，外延片刻蚀机器所以科学家们认为当人类掌握金刚石膜的制备技能，尤其是单晶金刚石膜的制备技能时，但目前关于金刚石膜的等离子体化学气相积累机理尚不清楚，特别是单晶金刚石膜的异质外延困难，主要原因是:低温等离子体处于热非平衡状态，所使用的反应气体也是多原子分子，反应体系复杂，缺乏基础数据。
硅大规模集成电路和半导体激光器的发明，外延片刻蚀设备使世界进入了以微电子、光电子技术为基础的信息时代，极大地促进了社会经济的发展。分子束外延技术是制造双异质结激光器的关键技术。1968年，贝尔实验室的卓义和发现，通过仔细控制光束的大小和时间，可以在超高真空容器中生长不同层和不同种类的半导体材料，从而发明了分子束外延技术。分子束外延器件原理图如图11所示。
外延片刻蚀机器
干蚀刻的电感耦合体硅腐蚀硅蚀刻机,使用哈佛商业评论/ O2气体过程中,侧墙和门硬掩模层选择率高,能有效防止polysilicide门的接触,避免在随后的外延过程中,多余的硅锗的生长缺陷在城门口。这种锗硅过剩的缺陷会导致栅极和通孔的短路故障。湿法蚀刻采用四甲基氢氧化铵，无色或淡黄色液体，具有类似胺味，易溶于水，其溶液为强碱性溶液，在半导体中除常用作显影剂经曝光工艺外，也常用作硅蚀刻液。
蚀刻条件:Cl2:CH4:Ar=12∶12:3,4 mt, TCP为0 w，偏置电压为300 v，计算蚀刻速率为8600/min, SiN的选择比为10∶1，可以满足当前工艺的要求。但是这种方法的缺点也很明显:副产物完全挥发，对图的侧壁保护不够，导致整体形状会凹进去。然而，无论是作为栅极、外延层还是掩膜，这种形貌都难以满足器件的性能要求。
特斯拉在业内率先使用碳化硅(SiC)代替IGBT，但为了提高5%的续航里程，其成本是IGBT的几倍。由于特斯拉的引导作用，地球上采用碳化硅作为动力装置的速度可能加快了一倍。这不仅对电动汽车行业，而且对其他行业的节能减排有着巨大的积极的促进作用。碳化硅动力器件在新能源汽车及其配套领域应用潜力巨大。氮化镓在微波射频领域是一种备受追捧的新材料。氮化镓衬底材料生长困难，主要是在非均相衬底上外延生长。
这种材料结构的表面层向外延伸，在材料的顶部形成活性层，使橡胶能够被印刷、粘合和涂覆。采用等离子清洗机进行橡胶表面处理，操作简单，清洗效果好，工作效率高，运行成本低。使用等离子清洗设备会使材料表面产生各种物理化学变化，或腐蚀，或形成致密的交联层，使其具有亲水性。绑定属性。可染色的。生物相容性和电性能得到了改善。采用等离子清洗机对硅橡胶进行表面处理，产品表面的亲水性和附着力会显著提高，表面一层不随时间恢复。
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为了避免物理轰击对元器件成型电路带来不可预知的损坏，外延片刻蚀现在主流的等离子清洗机逐渐采用微波等离子清洗机(百度search)。其优点是表面电子能比射频小2个数量级，对目标可以说是无损的。。磷化铟不仅可以作为外延层的衬底材料，而且本身也可以作为通道材料或电极材料，所以与其他三组和五组材料相比，磷化铟材料等离子体刻蚀清洗机等离子体刻蚀的研究也更多。用CH4和H2蚀刻磷化钢是较早的方法。
