等离子体聚合介质薄膜可以保护电子元件，采用等离子体沉积导电膜技术保护电子线路和设备不受静电荷积累造成的损坏，等离子体沉积薄膜技术还可以制作电容器元件。可广泛应用于电子工业，化学工业，光学等领域。
等离子体积硅化合物，使用SiH4+N2O(或Si(OC2H4)+O2)制造SiOxHy。空气压力1~5托(1托≈133帕)，功率为13.5MHz。SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉，气温为300℃，沉积速率为180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，xhttps://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/denglizibiaomianchuli20.png是Si/Si+C比例。硬度超过2500千克/毫米。
利用等离子体在多孔基片上沉积一层薄聚合膜，制成选择性渗透膜和反渗透膜，可用于分离混合物中的气体，分离离子和水。还可结合超薄膜层，以适应不同的选择性，如分子尺寸、可溶性、离子亲合性、扩散性等。采用常规的方法，在碳酸盐-硅共聚物基底上沉积0.5毫米薄膜，其氢与甲烷的渗透比为0.85，甲烷的渗透率比氢的高。当等离子体在基片上沉积苯甲氰单体时，其比值增加到33，分离效率大大提高。反渗透膜可用于海水的脱盐处理，当水流量低于某一阈值时，排盐效果较好。其聚合膜具有较好的抗渗透性能，如烯烃族、杂芳香族和芳香胺等。
采用等离子沉积膜技术制备的薄膜可用于光学元件，如消反射膜、防潮膜、抗磨损膜等。利用等离子体可在集成光学中根据要求的折射率沉积上稳定的薄膜，使其与光路中的各个元件连接。这类薄膜每厘米的光损失为0.04分贝。