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测得的缺陷形成率是施加到栅极氧化物的电压的幂函数。因此，故障时间与电压的关系为TF = B0V-n (7-12)。如果氧化层足够薄，缺陷形成率与氧化层厚度无关，但临界缺陷密度会导致氧化层断裂。它强烈依赖于氧化层。层厚度。对于low-k材料TDDB，也有对应的root E模型。将不同模型的拟合曲线与同一组加速 TDDB 测试数据进行比较。
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