干式刻蚀技术是等离子体表面处理器的刻蚀工艺

氮硅Ni3N4材料的特性：Ni3N4是目前比较热门的新材料之一，它具有密度小，硬度大，弹性模量高，热稳定性好等特点，被应用于多种材料中。氮化硅可替代氧化硅用于晶圆制造，由于它的硬度高，可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中，使用广泛的薄膜厚度单位是埃)，厚度约为几十埃，可以保护晶圆表面，防止划伤，而且它出色的绝缘强度和抗氧化能力也可以很好地达到阻隔效果。由于氮化硅的流动性不如氧化物，刻蚀比较困难，利用等离子体表面处理器进行刻蚀可克服刻蚀困难。
等离子体蚀刻是通过化学或物理作用，或物理和化学的联合作用来实现的。在反应过程中，通过反应室内的气体通过辉光放电，从而形成含有离子、电子和游离基等活性物质的等离子体，这些物质由于其扩散特性，将吸附到介质表面，与介质表面原子进行化学反应，生成挥发物。同时，能量较高的离子会在一定压力下对介质表面进行物理轰击和蚀刻，以去除再沉积反应产物和聚合物。通过等离子体表面处理器物理化学的联合作用，完成对介质层的蚀刻。
在晶圆制造工艺中，等离子体刻蚀是十分重要的一步，也是微电子IC制造工艺和微纳制造工艺中的一个重要环节，一般在涂覆和光刻显影后，等离子体表面处理器等离子体经过物理溅射和化学处理，使我们不需要的金属被去除，而在这个过程中，光刻胶就是反应的保护膜，其目的是形成与光刻胶图形相同的线形。目前主流的干式刻蚀技术是等离子体表面处理器的刻蚀工艺，由于其刻蚀率高、定向性好，逐渐取代了传统的湿式刻蚀。24423