但要解决的问题是，sio2表面羟基活化LCM工艺中存在大量对纤维浸渍不理想的树脂，产品内部存在空洞和表面干斑等现象。说明树脂对纤维表面的浸润性将直接影响LCM的成型工艺及制品性能。 可考虑通过等离子体清洗技术改善纤维表面的物理化学性能，提高预成型体中纤维的表面自由能，使树脂在相同的工艺条件(压力场、温度场等)下能更充分地浸渍纤维表面，提高浸渍均匀性，改善复合材料液体成型的工艺性能。。
等离子体光学接触角测试仪可检测以下接触角：静态接触角、动态接触角、滚动角、表面自由能、表面张力、界面张力、批处理接触角、粗糙度校正接触角、单纤维接触角等。。
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在这种情况下等离子处理产生以下效果： 1.1 灰化表面的有机层- 表面受到化学冲击（下面是氧气） - 在真空和临时高温条件下，sio2表面羟基活化污染物会部分蒸发。 -污染物通过高能离子的冲击被粉碎并通过真空进行- 紫外线破坏污染物等离子处理每秒只能穿透几纳米，所以污染层不能做得太厚。指纹也可以。 1.2 氧化物去除金属氧化物与工艺气体发生化学反应（下图）。该过程使用氢气或氢气和氩气的混合物。也可以使用两步处理过程。
sio2表面羟基活化
改善粉体的分散性和外观的直接性和能力，众所周知，纳米粒径越小，纳米比功能越显著。粉体粒径越小，颗粒团聚越严重，团聚体可能达到亚微米级甚至微米级，严重影响纳米助剂在纤维中的应用，尤其是粉体颗粒/纤维复合体系的可纺性。采用粉末等离子体表面处理设备可以完成颗粒的常规性能，充分体现粉末颗粒/纤维复合体系的特殊功能。。
单片晶圆清洗设备和自动清洗台装置在使用上没有太大区别，主要区别在于清洗方式和精度要求，关键分界点在于半导体的45纳米工艺。简单来说，自动清洗台是多片同时清洗，优点是设备成熟，生产率高，而单片清洗设备是逐片清洗，优点是清洗精度高，可以有效清洗背面、斜面和边缘，同时避免晶圆之间的交叉污染。45nm之前，自动清洗台可满足清洗要求；低于45nm时，依靠单片晶圆清洗设备来满足清洗精度要求。
在甲烷等离子体体系中加入H2或N2不仅能促进甲烷转化，还能提高C2烃产物的收率。O2的加入能有效促进甲烷的转化，但C2烃产率降低。。氧化等离子体涂层的蒸发源包括电阻型和电子束:蒸发的原料可以是非金属，也可以是SiOX。SiO2 / Al2O3 MgO样式。Y2O3。二氧化钛。Gd2O3等氧化物，还有SiOX。AlOx常用。氧化物等离子体涂层有两种汽化源:电阻型和电子束型。
比较典型的品牌有DIENER、TEPLA、PLASMATREAT、MARCH、PE、PANASONIC、YAMATO、VISION和PSM。国内一些等离子清洗机品牌已有10多年的历史，等离子相关技术也有一定的沉淀和积累。在PCB和FPC、光学器件、手机摄像头模组、汽车制造、印刷等诸多行业都有一定的影响力。国内代表性等离子清洗机品牌有尔索、苏曼、普莱克斯、宝风堂、奥坤鑫。
纳米二氧化硅表面羟基活化
几种主要的蚀刻工艺是：1.制备回波颗粒；2.回波颗粒到达晶片表面并被吸附3.晶圆表面化学吸附响应，表面羟基活化形成化学键，构成响应产物；4.化学反应产物在晶片外表面的解吸和去除，从腔室中抽离；例:SF6+e>SF5+F+e；SF5+E>SF4+F+E；等待F原子到达衬底，对衬底的响应为F+Si->SiF，SiF+F->SiF2；SiF+SiF>SiF4图6等离子体刻蚀的基本机理2.3VDC对刻蚀的影响1.蚀刻速率，由于电子密度和能量与VDC有关，上述化学反应过程对应速率；2.离子脱壳会对晶圆的外观造成结构破坏；离子脱壳的能量与VDC有关，VDC越高，脱壳越强。
