所谓的暗鞘层将在所有器壁外表构成，金属附着力促进树脂暗鞘层常被以为是绝缘体或电容，因而能够以为功率经过一个电容器转移至等离子体。图3常用CCP源的腔室结构在频率为1MHz和 MHz之间，自由电子能够随同电场的改变取得能量，离子由于质量较重，往往不会随同改变的电场运动。
3D时代刻蚀技术的创新固然重要，金属附着力促进树脂但等离子清洗机刻蚀机的稳定性和缺陷控制能力也很重要，因为这些会直接影响量产的质量和进度，尤其是在这个日新月异的时代，失去先机就可能失败。如上所述，EED-I蚀刻技术的改进已经在各种机器上商业化，并在3D半导体产品市场上占有一席之地。EED方向的学术改进包括串联ICP（串联）和中性粒子束刻蚀，利用脉冲产生负离子，然后通过束流能量控制区。但后者的遴选比例是一个薄弱环节。
在90nm以前的技术工艺中，金属附着力促进树脂主要使用等离子清洗设备电容耦合(Capacity Coupled Plasma,...
