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icp电感耦合等离子体原理

池和 Ti 和 C 浓度的局部不均匀性。使用 TiC 易于生长。前表面的成分是过冷的,icp电感耦合等离子体 原理动画由于TiC的放热作用,Ti和C原子迅速向前表面扩散,形核长大,形成更多的树枝状TiC颗粒。而且,由于TiC颗粒的密度低于Fe-Cr熔体的密度,在熔池的搅拌作用下容易上浮、聚集,所以镀层表面积含有大量的TiC颗粒。下部区域的颗粒。

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由于精细线路技术的不断发展,icp电感耦合等离子体 原理动画目前已经发展到生产Pitch为20μm、线条为10μm的产品。这些精细线路电子产品的生产与组装,对ITO玻璃的表面清洁度要求非常高,要求产品的可焊接性能好、焊接牢固、不能有任何有机与无机的物质残留在ITO玻璃上来阻止ITO电极端子与IC BUMP的导通性,因此,对ITO玻璃的清洁显得非常重要。

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这种方法可以很容易地获得可调节的等离子体密度和等离子体均匀分布。此外,icp电感等离子体镀膜平面 ICP 源使用中等窗口。加工也很容易。石英和陶瓷是常用的介电窗口材料。此外,电感耦合ICP源也有电容耦合。介电窗口作为线圈和等离子体之间的耦合层,当线圈的输出电压达到2000V时形成电容耦合。这种电容性高压可以在等离子体放电中点燃并持续存...

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