要将高压下的测试结果 外推到低压即工作电压下，三价铁离子和铜离子亲水性就需要借助于失效时间模型。关于金属层电介质击穿有两个广为 人知的模型，一个是热化学击穿模型，即Si-O键在高压下断裂，为本征失效，另一个是电荷注入模型，即认为铜离子扩散进人电介质导致击穿，为非本征击穿。
但 CU 表面的氧化物 CUO 与 CU 块体之间的键合较差，三价铁离子和铜离子亲水性该界面为铜离子的转移提供了高迁移率通道。在目前典型的铜布线工艺中，铜的上表面有一层介质阻挡层SICON，阻挡了CU的扩散，起到蚀刻停止层的作用，所以铜结构的电迁移主要在CU之间的界面处。 . 会一起做的。以及介质阻挡层SICON行动。在沉积介质阻挡层之前对铜自氧化层进行等离子清洗和填缝铜表面可以有效地改善 EM。
Schottky发射对应低电场条件(<1.4MV/cm)，铜离子亲水性强吗为金属与电介质界面的电子热激发越过势垒; 而Poole-Frenkel发射对应高电场条件(>1.4MV/cm)，为电介质中陷阱电子在电场增强的热激发作用进入电介质导带，这些高能电子达到阳极后，一部分会与阳极表面的CuO发生电化学反应产生铜离子，接着Cu离子会扩散或者在电场作用下漂移进人电介质，一 般Cu离子的运动路径为low-k和顶部覆盖层的界面。
使用等离子清洗机进行预印和打码工序的原因：在制造过程中，三价铁离子和铜离子亲水性如果在后面的工序中要对表层进行涂层、涂漆或粘附，则需要对材料的表层进行筛选和活化。具有足够的活性以与涂层材料建立粘合结合。很多材料的界面张力在使用包装印刷水性涂料、与不含V...
