该系统具有重复性高，硅片刻蚀机器均匀性好，先进的Z兆强清洗功能，兆强辅助光刻胶剥离和湿法刻蚀功能。产品可以无损检测,化学试剂清洗、刷清洁,干燥,etc.Comparison两个干蚀刻方法的优点和缺点湿和等离子清洗机:传统的湿式蚀刻蚀刻方法的系统是一种由蚀刻溶液之间的化学反应和蚀刻对象。湿法刻蚀是各向同性刻蚀，难以控制。特点:适应性强，表面均匀，对硅片损伤小，几乎适用于所有金属、玻璃、塑料等材料。
等离子清洗硅片 的目的是去除表面的光刻胶残留，硅片刻蚀机器因为硅片、高性能半导体芯片和芯片都是非常高灵敏度的电子元器件，对清洗的要求非常高，所以现在在这个过程中我们会利用等离子清洗机清洗具有高度的均匀性，稳定的蚀刻速率;使硅片上原有钝化层的形态和润湿性都有了很大的改变，并且附着效果也有了很大的提高。
一对形成的PDMS基板可以通过分子间的吸引力自然结合，硅片刻蚀的目的无需任何处理。但是这样的附着力不够，很容易漏气。目前，PDMS与硅衬底之间的低温键合方法有很多。在制作硅-PDMS多层结构微阀的过程中，PDMS直接旋转并凝固在硅片上，实现硅-PDMS薄膜的直接粘接。该方法属于可逆粘结，粘结强度不高。在生物芯片的制备中，采用聚二甲基硅氧烷和氧等离子体氧化膜来加工和结合聚二甲基硅氧烷衬底。
科学技术的发展不断推动着半导体的发展。先进的自动化和电脑等高科技产品成本降低了硅晶片(集成电路)到一个非常低的水平。(2)规格wafersSilicon硅晶片的规格有多种分类方法,可分为根据硅片直径,单一的晶体生长方法,掺杂类型等参数及用途。硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8...
