科技之后，外延片除胶材料依赖的历史很快就从硅材料时代转向了金刚石时代。然而，此时金刚石薄膜的等离子体化学气相沉积机理尚不明确，尤其是异质外延单晶金刚石薄膜仍然非常困难，多原子分子、复杂的反应体系、基础资料等方面存在不足。但是，经过20多年的理论和实验研究，人们不仅开发出了各种等离子化学气相沉积技术来制作金刚石薄膜，而且经过分析总结，对影响金刚石薄膜生长的因素也有所了解。实验数据。
真空镀膜可分为蒸发沉积镀膜和溅射气相沉积镀膜两大类，外延片除胶设备包括真空离子挥发法、磁控溅射法、分子束外延法和粘合剂溶液凝胶法。厚度均匀性的关键是材料和溅射靶材的晶格排列、外表面温度、蒸发速率、真空度、镀膜时间和厚度。取向对称性受晶格匹配、温度和蒸发速率的影响。溅射涂层很容易理解为电子器件或高能激光溅射靶材。表面部分以原子团或离子的形式溅射并沉积在基板的表面上以形成薄膜。
装置内部处于超高真空条件下（10-10torr），外延片除胶蒸发器配备原料元素（Ga、As、Al等）源。前面是一个可控挡板，它打开以将蒸发的源原子引向加热的衬底以进行外延生长。目前，单原子层的生长是通过这种技术实现的。在设备周围，有监控生长过程的设备。半导体技术的应用 1 LSI 和计算机 LSI道路为计算机和网络的发展奠定了基础。根据摩尔定律，集成电路的集成度每 18 个月翻一番。
2.使用等离子蚀刻机对橡胶进行表面处理，外延片除胶机器并通过高速接收高能星的冲击来进行。这种材料结构的表层可以向外延伸，同时在材料表层形成活性层，因此橡胶可以用于印刷、涂胶、涂胶等操作。等离子蚀刻机用于橡胶表面处理，操作方便，不产生有害物质，清洗效果好，效率高，运行成本低。使用
