科技之后，外延片除胶材料依赖的历史很快就从硅材料时代转向了金刚石时代。然而，此时金刚石薄膜的等离子体化学气相沉积机理尚不明确，尤其是异质外延单晶金刚石薄膜仍然非常困难，多原子分子、复杂的反应体系、基础资料等方面存在不足。但是，经过20多年的理论和实验研究，人们不仅开发出了各种等离子化学气相沉积技术来制作金刚石薄膜，而且经过分析总结，对影响金刚石薄膜生长的因素也有所了解。实验数据。
真空镀膜可分为蒸发沉积镀膜和溅射气相沉积镀膜两大类，外延片除胶设备包括真空离子挥发法、磁控溅射法、分子束外延法和粘合剂溶液凝胶法。厚度均匀性的关键是材料和溅射靶材的晶格排列、外表面温度、蒸发速率、真空度、镀膜时间和厚度。取向对称性受晶格匹配、温度和蒸发速率的影响。溅射涂层很容易理解为电子器件或高能激光溅射靶材。表面部分以原子团或离子的形式溅射并沉积在基板的表面上以形成薄膜。
装置内部处于超高真空条件下（10-10torr），外延片除胶蒸发器配备原料元素（Ga、As、Al等）源。前面是一个可控挡板，它打开以将蒸发的源原子引向加热的衬底以进行外延生长。目前，单原子层的生长是通过这种技术实现的。在设备周围，有监控生长过程的设备。半导体技术的应用 1 LSI 和计算机 LSI道路为计算机和网络的发展奠定了基础。根据摩尔定律，集成电路的集成度每 18 个月翻一番。
2.使用等离子蚀刻机对橡胶进行表面处理，外延片除胶机器并通过高速接收高能星的冲击来进行。这种材料结构的表层可以向外延伸，同时在材料表层形成活性层，因此橡胶可以用于印刷、涂胶、涂胶等操作。等离子蚀刻机用于橡胶表面处理，操作方便，不产生有害物质，清洗效果好，效率高，运行成本低。使用等离子刻蚀机时，材料表面发生各种物理化学变化，被腐蚀，形成高密度交联层，产生亲水性、粘合性、染色性...它具有生物相容性和电气特性。
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因此，硅沟槽等离子清洗设备干法刻蚀后灰化工艺的选择非常重要。灰化工艺不仅去除了残留的光刻胶，而且获得了纯硅表面，用于硅锗的外延生长。灰化工艺包括氧化灰化、低氢混合气体（含氢4%的氮氢混合气体）灰化、高氢混合气体（含氢量>20%）灰化。低氢混合气体灰化工艺可以有效减少光刻胶的残留和刻蚀副产物，但外延生长缺陷是因为光刻胶和刻蚀副产物不是外延缺陷的主要原因，因此没有明显改善。
溅射镀膜可分为几种类型，与气相沉积镀膜的区别取决于溅射速率，是主要参数之一。溅射镀膜薄膜的成分易于保持，但原子对称性较弱，晶体取向控制也很常见。影响因素是目标板对准、低压涂层气氛、板温度、激光功率、脉冲频率和溅射时间。不同材料和基板的溅射具有不同的合适参数。设备质量好坏的关键是对温度、真空值、真空室清洁度的控制能力。 MBE分子束外延镀膜技术是解决这个问题的一个很好的方法。
硅锗沟槽界面对等离子清洗设备蚀刻后Sigma沟槽形状和硅锗外延生长的影响：众所周知，在等离子清洁器中对硅进行干法蚀刻过程中会产生大量的聚合物副产物。设备。密集区域的高反应总量使副产物更容易聚集。在图案化硅实验中，紧密图案化区域中的厚蚀刻副产物导致比稀疏图案化区域更浅的深度。这种深度差异在 TMAH 掩埋工艺之后变得更加明显，甚至可能阻止正常形状的 sigma 型硅沟槽的形成。
随着半导体规模接近其物理极限，新材料、新器件结构和新工艺不断被引入集成电路制造工艺中，以延续摩尔定律并使器件尺寸更小......随着高介电常数材料、锗硅载流子传输增强材料、金属栅极材料、SiCoNiTM预清洗工艺、分子束外延生长工艺等，等离子清洗机中气体材料的种类和数量不断变化。并增加。一般来说，等离子清洗机的气体材料根据数量、制造过程的难易程度和安全性，分为通用气体和特殊气体两种。
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加入氧气后，外延片除胶机器锗及其合金的选择性最高可调节至434。这一点很重要，因为锗多层结构一般是外延产生的，而期间的感应层和中间层结构一般都是锗合金材料。我们知道CF4也是一种高反应性的化学蚀刻气体。由于这种效应，当向 CF4 添加氧时，蚀刻选择性很高。这是因为氧与底层材料 (Sn) 反应以促进表面保护膜的形成，从而防止进一步蚀刻并提高选择性。
