在后段金属丝成形过程中，硅片清洗流程边缘区域残留的金属填料也会在等离子体相关工艺中引起放电(AR))，这可能导致整个晶圆被报废。因此，在器件制造过程中，有必要对边缘区域进行控制。去除这些堆积在晶圆边缘的薄膜可以减少生产过程中的缺陷和良率损失。硅片边缘和斜面的清洗方法有三种:(1)化学机械磨削过程中添加的外边缘和斜面;湿法刻蚀清洗;等离子体边缘刻蚀。
晶圆级封装前处理的目的是去除表面的无机材料，实验室硅片清洗工艺步骤减少氧化层，增加铜表面粗糙度，提高产品的可靠性。。晶圆电路板等离子清洗机蚀刻在电路板工业中的应用:等离子蚀刻中使用的气体大部分是氟化气体，而四氟化碳是主要气体。等离子蚀刻清洗机广泛应用于晶圆制造和线路板制造。晶圆制造行业的应用:在晶圆制造行业，光刻采用四氟化碳气体对硅片进行直线刻蚀，等离子清洗机采用四氟化碳气体对氮化硅进行刻蚀并去除光刻胶。
同样，实验室硅片清洗工艺步骤PDMS在有机电子领域(微电子学或聚合物电子)和生物微量分析领域也可以用作绝缘体。微流控系统领域是PDMS最常见的应用之一，根据要求构造特定的硅氧烷，然后由等离子体清洗器处理，然后PDMS晶圆、硅片或其他基板永久涂在晶圆上。。微流控系统领域是PDMS的一个常见应用，根据用户的要求构造特定的硅氧烷，由等离子体清洗器处理，PDMS晶圆、硅片或其他基板长期涂敷在晶圆上。
