这说明虽然表面轰击效应会造成一定的IP胶层厚度损失，显影蚀刻去膜原理但由于等离子体能量少，时间短，厚度损失较小。一般来说，等距分离子表面的处理对IP胶粘剂的厚度没有明显影响。经等离子清洗机处理后，IP胶在DIW上的接触角显著降低，即未经处理的静态接触角为77°。下降到45度，前向接触角88度，下降到51度，后向接触角33度，下降到10度。
8、控制显影剂、水位。9、干燥风应保持到室内5-6度。槽内和喷头内的水垢应定期清洗，涂胶曝光显影蚀刻工序简称防止杂质污染板，造成显影液分布不均匀。11、为防止板的操作，板应停止转动装置，应立即停止放板，并将板取出至显影平台中间，如未完全开发，因二次开发。12、显影吹干后的板应用吸水纸隔开，防止干膜附着而影响蚀刻质量。质量确认:完整性:成像后可用刀片轻轻刮拭裸铜表面，无干膜残留。
在半导体的后期生产过程中，显影蚀刻去膜原理由于指纹、助焊剂、焊锡、划痕、污渍、灰尘、树脂残渣、自然氧化等，在器件和材料的表面会形成各种污渍，这将明显影响包装生产和产品质量。使用等离子体清洗技术，这些在生产过程中形成的分子级污染物可以很容易地去除，从而显著提高封装的可加工性、可靠性和成品率。在芯片封装生产中，等离子清洗工艺的选择取决于后续工艺对材料表面的要求，材料表面的原始特性，以及表面污染物的化学成分和性质。
半成品的粘接性能受环境(如温度、湿度、光照、通风等)以及化合物的有效性和粉尘的影响。涂胶或涂油工艺操作过程复杂，显影蚀刻去膜原理要求工艺点多。受温度、湿度等因素影响，温差大的季节容易出现胶粘剂质量波动的问题。同时还存在非环保等严重缺陷，存...
