电晕还发射真空紫外(VUV)，覆膜机电晕处理低K吸收这些高能光子，导致化学键断裂，可能在表面形成低能导电通道。这些由电晕引起的缺陷在TDDB测试中会成为电荷陷阱，在应力作用下陷阱电荷，导致介质表面势垒降低，从而加速介质击穿。尼科尔S等研究表明，在不同电场强度下，经ECR电晕处理或VUV辐照的低K材料的TDDB失效时间明显缩短。氢氟酸对低K SiCOH的刻蚀能力较小，但能很容易地去除碳耗尽后产生的SiO2。
1.在LED行业中，覆膜机电晕处理用于在配药银胶前去除基板上的污染物，有利于银胶平铺和贴片；用于在引线键合前处理氧化层等污染物，提高引线与芯片、衬底的附着力，增强键合强度；用于LED密封前清洁氧化层或污垢，使芯片和基板与胶体结合得更紧密。清洗支架上的氧化层或污垢，提高胶体与支架的紧密度，防止空气渗透造成不良影响。
在氧化法中，柯乐弗覆膜机电晕机液相氧化只适用于间歇操作；气相氧化法的反应时间取决于碳纤维的种类和所需的氧化程度；气液双效氧化难以控制条件。相对而言，电化学氧化法最具优势，不仅能大幅提高碳纤维表面润湿性和反应活性，而且处理条件温和易控，纤维表面处理均匀，易于与碳纤维生产线匹配，因此在碳纤维工业化生产中具有广阔的应用前景。。
印刷电路板中的电晕清洗过程主要分为三个阶段。DI第一阶段是含有自由基、电子和分子的电晕形成的气相物质吸附在钻孔固体表面的过程；第二阶段，柯乐弗覆膜机电晕机吸附基团与污染固体表面的分子反应生成分子产物，再将生成的分子产物分解形成气相反应过程；第三阶段是反...
