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此外,增加模型漆面附着力当金属蚀刻接近尾声时,超薄AI膜容易收集负电荷,累积的负电荷在NMOS栅氧化层中引起从衬底到栅的FN电流,损伤栅氧化层。先进技术节点采用的HKMG技术给PID带来了更大的挑战。在等离子体赝栅去除工艺中,要完全清除角部多晶硅,需要长时间应用基于NF3/H2气体的过蚀刻,但由于等离子体直接接触高k栅介质层上的功函数金属,大大增加了等离子体中氢离子对栅介质层的损伤。联合执行等人。

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