这是由于熔体的热传递。池和 Ti 和 C 浓度的局部不均匀性。使用 TiC 易于生长。前面的地层是过冷的，ICplasma去胶设备TiC 的放热效应导致 Ti 和 C 原子扩散并迅速成核。正面。更多树枝状 TiC 颗粒的生长和形成。另外，由于TiC颗粒的密度低于Fe-Cr熔体的密度，在熔池的搅动下容易上浮、聚集，在镀层附近形成镀层；在镀层的下部区域TiC颗粒较少。
等离子表面处理设备等离子处理过程中的快速加热和冷却会对涂层造成很大的热应力，ICplasma清洁设备从而导致涂层出现裂纹。 Fe-Cr-C-Ti镀层表面略粗糙，但无裂纹。这是因为在Fe-Cr-C涂层的碳化络合物组分中加入Ti元素，发生Ti+C<→TiC反应，现场合成TiC颗粒。 TiC的形成温度高于一次碳化物的析出温度。然后这些分散的 TiC 颗粒可以用作初级碳化物非均匀成核基体，用于提纯或去除铬初级碳化物。
C3一次碳化物改善（Cr、Fe），ICplasma去胶设备C3共晶组织增加了大量的奥氏体组织，奥氏体在高温和常温下具有优异的强度和韧性，为涂层提供强大的耐磨强化步骤。支持减少裂纹。涂装部件在使用中的脱落倾向。因此，大量TiC颗粒的合成和奥氏体组织的形成，(CrFe)、C3一次碳化物的减少或去除，以及(Cr,Fe)、C3共晶组织的改善都是涂层。涂层裂纹的发生。
IC封装的基本原理 另一方面，ICplasma清洁设备集成电路封装在芯片的安装、固定、密封、保护、改善电性能和热性能等方面起着重要作用。另一方面，封装上的引脚通过芯片上的触点连接，这些引脚通过印刷电路板上的导线连接到其他器件，提供内部芯片和外部电路之间的连接。.. ..同时，芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质腐蚀芯片电路，导致电气性能恶化。在 IC 封装过程中，芯片表面被氧化物和颗粒污染会降低产品质量。
ICplasma清洁设备
在IC封装中，等离子表面处理设备清洗技术通常会引入以下步骤：贴片和引线键合前，芯片封装前。环氧树脂导轨在电贴片前使用等离子表面处理设备清洁质粒载体的正面，增强环氧树脂胶的粘附性，去除金属氧化物，帮助焊料回流，并在芯片之间建立连接。可改进的环氧树脂载体减少剥落并增强散热性能。
软化剂和脱模剂会从弹性体主体移动到表面并导致质量问题。等离子表面改性剂 等离子清洗工艺用于确保符合这些组件的要求。等离子清洁剂去除油漆和涂层之间的非粘合屏障。等离子清洁剂可以去除硅胶污染，增加各种塑料的附着力。提高所有聚合物材料表面的润湿性。等离子处理器印刷胶粘剂加工3D形状表面活化半导体、医疗、IC集成电路等具有优势。
这些是使用特殊设备手动制造的。当等离子体与固体（例如设备的壁）接触时，壁在某些条件下会迅速变化。等离子体中的原子和分子可以沉积在固体材料上，高能等离子体离子可以敲除原子。实体的表面会变形，甚至会造成损坏。也就是说，固体材料的电子特性，例如导电性，可以通过离子的影响来控制，并且可以以非常快速和可逆的方式发生变化。调查结果发表在《物理评论快报》上。
取决于粗糙度的增加.提高化学活性，从而提高润湿性和两个表面之间的结合力。随着低温等离子技术的日益成熟和清洗设备的发展，特别是常压在线连续等离子设备，清洗不断降低成本，进一步提高清洗效率。等离子清洗技术本身具有各种材料加工方便、环保性优良等优点。毫无疑问，随着人们对微生产的认识逐渐加深，先进清洗技术在复合材料领域的应用将得到广泛推广。
ICplasma去胶设备
等离子指示剂——用于测量等离子设备对材料的表面能的金属化合物和 Dynepen 指示剂是液态金属化合物，ICplasma去胶设备它们在等离子中分解，使物体具有明亮的金属表面。当液体滴落到组件本身或参考样品被等离子设备处理时，其大部分表面被转化为与最初透明液体形成对比的亮金属涂层。与其他颜色相比，等离子形成的金属膜具有金色的光泽，其反射率比物体的各种颜色更明显。
2. 使用 Dine Pen 测定等离子设备材料的表面能 DAIN-Pen是一种检测等离子体装置（达因），ICplasma清洁设备专门用于检测材料表面处理的（有效）效果。在检测中，界面张力检测笔可以准确检测试笔的界面张力是否符合试笔的要求，在各种张力下，材料的界面张力是否达到试笔的数值？检测是否。检测时应选择中间值作为起点。例如在38MN/M测试中，如果测试笔在2秒内润湿板面，且板的界面张力大于或刚好，则应选择下一个测试笔。
