上述工艺生产的致密薄膜是疏水的，二氧化硅清洁机没有孔隙。然而，为了在短时间内生产出高质量的薄膜，需要优化工艺参数，尤其是在阻隔层应用领域。有机硅薄膜可以通过在等离子体环境中分解有机硅树脂，在硅原子与氧、氮或它们的混合气体反应时沉积二氧化硅、氧化硅或氮化硅薄膜而获得。诸如乙炔之类的有机气体被用作类金刚石碳膜中的前体反应物。等离子脉冲化学气相沉积工艺是对传统化学气相沉积工艺的重大改进。
它的热能比二氧化碳高出四个数量级，二氧化硅清洁机因此全球环保组织于 1994 年开始开发技术来减少此类气体的排放。 NF3对温室效应影响不大，可以替代上述含氟气体。半导体工业中使用的另一种制造工艺是使用等离子清洁器去除硅晶片上组件表面由感光有机材料制成的光刻胶。在开始堆叠过程之前，必须去除并清洁残留的光刻胶。传统的脱胶方法使用热硫酸和过氧化氢溶液，或其他有毒有机溶剂。
等离子清洗的优点： 1. % 清洗 2. 无稀释效应（与水清洗相比） 3.没有额外的消耗品（与二氧化碳干冰喷射相比） 4. 5.不仅是顶部（与喷砂工艺相比），二氧化硅清洁机同时清洁整个表面，包括微观结构的凹入区域。
无需使用有机化学溶液，二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究产生的气体大部分也是二氧化碳等无害气体。由于所有的反应物和产物都是气体，不需要干燥或废水处理，可以说等离子清洗机没有废气和废水。等离子清洗机处理是否更环保、更安全？从反应物和产物上看，环保节能，从技术上看，工艺更简单、更安全，从日常处理成本上看，省电、省电。消耗品。需要维护费用。等离子清洗机的干法加工技术可以改变材料的表面结构，控制界面的物理性质，以及根据需要进行表面涂层。
二氧化硅清洁机
自由基在原子团等自由基与物体表面的反应中起着重要的作用，因为这些自由基是电中性的，寿命长，并且在等离子体中比在离子中丰富发挥。等离子体。自由基的作用主要表现在化学反应过程中能量传递的“活化”。被激发的自由基具有很高的能量，因此它们与表面分子结合时往往会形成新的自由基。自由基也处于不稳定的高能状态，发生分解反应，变成小分子，同时产生新的自由基。这个反应过程继续进行，最终可能分解成水、二氧化碳等。
工件表面污染物如油脂、助焊剂、感光膜、脱模剂和冲头油迅速氧化成二氧化碳和水，并由真空泵抽出以清洁表面。提高润湿性和附着力。一个棘手的目的。冷等离子处理只涉及材料的表面，不影响材料的大部分性能。由于等离子清洗是在高真空下进行的，各种活性离子在等离子中的自由通道很长，它们的渗透性和渗透性很强，可以处理细管、盲孔等复杂结构。
1938年，苏联的AA Vlasov提出了Vlasov方程，这是一个丢弃了碰撞项的无碰撞方程。朗道碰撞积分和弗拉索夫方程被提出，标志着动力学理论的开端。1942年，瑞典的H.Alvin指出，当理想的导电流体处于磁场中时，会产生沿磁力线传播的横波（即Alvin波）。 1942 年，印度的 S. Chandrasekhar 提出使用暂定粒子模型来研究缓解过程。
基于此，利用等离子表面处理技术可以实现高分子材料外层的接枝，同时不损失材料本身的物理性能。等离子表面处理技术无纺布处理改进与改性等离子表面处理技术对无纺布处理改性的改进：近年来，国内对等离子表面处理技术在无纺布上的应用进行了大量研究。还有海外。 PBT熔喷无纺布采用空气和AR常压等离子表面处理技术对血液过滤材料表面进行改性，可显着提高材料表面的润湿性。采用AR真空等离子表面处理技术对聚丙烯表面进行改性。
二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究
1930年代等离子表面处理成为研究对象（材料），二氧化硅清洁机当时对等离子研究的兴趣主要与气体放电管（汞弧整流器、充气二极管、三极管[晶闸管]）的发展有关稻田。稳压二极管）相关。 1950 年代是等离子体表面处理物理学发展最富有成果的时期。当时，等离子体研究的主要兴趣与聚变研究有关。虽然尚未开发用于工业热核反应堆，但等离子体表面处理研究取得了长足的进步，特别是在等离子体表面处理的振动和不稳定性研究方面。
