在等离子体产生过程中，电子电路等离子体蚀刻高频放电产生的瞬时高能打开一些有害气体分子的化学键，使其分解成简单的原子或无害的分子。(2)等离子体中含有大量高能电子粒子，离子和激发态具有很强的氧化性自由基，活性粒子的平均能量高于气体分子的键能，它们经常与有害气体分子发生碰撞，打开气体分子键生成单原子分子和固体粒子，并同时产生大量·OH、H2O、·O等自由基与O3及有害气体分子反应生成无害产物。。
在等离子体中，电子电路等离子体蚀刻由于电子比重粒子移动得快，绝缘体表面产生负电荷的净积累，即绝缘体表面相对于等离子体区域具有负电位。表面区域的负电位会排斥向表面移动的后续电子，吸引正离子，直到绝缘子表面的负电位达到一定值，使离子流与电子流相结合此时绝缘子表面电位Vf趋于稳定，Vf与等离子体电位(VP-VF)的差值保持不变。此时，绝缘体表面附近有一空间电荷层，即离子鞘。
等离子体清洗剂是利用这些活性组分的性质对样品表面进行处理，电子电路等离子体蚀刻设备从而达到清洗、镀膜等目的。等离子体是一种电离气体，其正离子和电子的密度近似相等。由离子、电子、自由基、光子和中性粒子组成的它是物质的第四种状态。人们普遍认为物质有三种状态:固体、液体和气体。这三种状态是根据物质中所含的能量来区分的。气态是物质三种状态中能量最高的状态。给气体物质增加更多的能量，例如加热它，就会形成等离子体。
等离子体设备主要是利用蒸汽电离产生等离子体，电子电路等离子体蚀刻设备其中含有电子、离子、官能团和紫外线等高能成分，达到物质表面(活性)的目的。
电子电路等离子体蚀刻：
低温等离子体的应用领域低温等离子体的物理和技术经历了从20世纪60年代初的空间等离子体研究到20世纪80年代和90年代的材料取向研究的重大转变。微电子科学、环境科学、能源与材料科学的快速发展为低温等离子体科学的发展带来了新的机遇与挑战。目前，低温等离子体的物理和应用已经成为具有全球影响力的重要科学和工程，对高技术经济的发展和传统产业的改造有着重大的影响。
因此，在物理冲击中，离子的能量场越高，冲击越大，所以物理反应是主要的空气射频等离子体表面处理设备是由单电极等离子体处理器产生的低温等离子体，其离子和电子能量可达7-10eV。
与等离子涂层或等离子蚀刻相比，工件表面不被去除或涂层，而只是修饰。使用大气等离子体的超精密表面清洗是去除有机、无机和微生物表面污染物以及强附着粉尘颗粒的过程。它在处理过的表面上是高效和温和的。在较高的强度下，它能够去除薄的表面边界层，交联表面分子，甚至切割硬质金属氧化物。等离子清洗提高湿度和附着力，支持广泛的工业过程，准备粘结，涂胶，涂层和油漆。
气体的特性不同，它们用来清洁污染物也必须有不同的选择。当一种气体渗透到一种或多种额外的气体，这些元素的组合产生所需的蚀刻和清洁效果。在等离子体等离子体离子或高活性原子的帮助下，表面污染物会被撞掉或形成挥发性气体，然后被真空系统带走，达到清洁的表面目的。等离子体形成过程中，氧气、氮气、甲烷、水蒸气等气体分子在高频电场的低压下，在辉光放电的条件下，可以分解成加速运动的原子和分子。
电子电路等离子体蚀刻设备：
在亚微米时代，电子电路等离子体蚀刻四乙基硅酸盐氧化物(TEOS氧化物)直接沉积在栅上，蚀刻停止在源漏硅上，形成侧壁。这种方法的问题在于，它会造成硅的损伤。所以当装置减少到一定程度时，泄漏就会不可控。m时代，由于TEOS氧化硅侧壁不能满足工艺需要，后来又开发了氮化硅侧壁。Si3n4侧壁也称为Si3n4侧壁或Si3n4 / Si3n4 (Oxide SiN, ON)侧壁，因为蚀刻时可以停在氧化硅层下面，所以不影响硅。
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