刻蚀是移除晶圆外表资料，隧道内附着力减少使其到达集成电路设计要求的一种工艺进程，现在芯片制作工艺中广泛运用干法刻蚀工艺。刻蚀机销售额约占晶圆制作环节的 24%，是晶圆制作中的要害环节。 公司产品主要为刻蚀用单晶硅资料，用于加工成刻蚀机上的硅电极（刻蚀用单晶硅部件）。由于硅电极在硅片氧化膜刻蚀等加工工艺进程会被逐步腐蚀并变薄，当硅电极厚度减少到必定程度后，需替换新的硅电极，因而硅电极是晶圆制作刻蚀工艺的中心耗材。
蚀刻过程中加入可以迅速生成聚合物提供侧壁保护的气体如CHF3、N2、或CH4，隧道内附着力减少什么意思使金属铝侧壁上较为优先吸附氟、氮或者碳氢化合物的方式，来进一步减少氯原子与铝侧壁接触发生反应，达到保护侧壁，使得氯基气体对金属铝的各向异性蚀刻能力更好。
克服了人工贴合时产生的气泡、皱着、光晕环、水纹等缺点。操作简单，隧道内附着力减少什么意思设置简单，等离子表面处理机，等离子处理机，常压等离子处理机方便工厂技术员维护设备及员工操作使用设备。 振动缓冲，设备稳定 贴合平整，便于脱泡 X、Y、W三轴可微调，精度易于保证 贴合压力可调，减少气泡产生。
如图所示，隧道内附着力减少等离子体清洗可分为电晕等离子体清洗、辉光等离子体清洗、射频等离子体清洗、介质阻挡等离子体清洗、微波等离子体清洗和大气等离子体弧清洗。低压等离子体清洗一般采用电晕等离子体清洗、辉光等离子体清洗和射频等离子体清洗，常压等离子体清洗采用等离子体清洗、微波等离子体清洗和常压等离子体电弧清洗。
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成立于2013年，是一家集设计、研发、生产、销售、售后于一体的等离子系统解决方案提供商。作为国内领先的等离子清洗专业制造商，公司组建了专业的研发团队，与国内多家顶尖高校、科研院所进行产、学、研合作。同时配备完善的研发实验室，拥有多名机械、电子、化学等专业的高级工程师，在等离子体应用和自动化设计方面拥有多年的研发和实践经验。公司现拥有多项自主知识产权和多项国家发明专利。
等离子体清洗的工作原理是将注入的气体激发到由电子、离子、自由基、光子和其他中性粒子组成的等离子体中。由于等离子体中存在电子、离子和自由基等活性粒子，它很容易与固体表面发生反应。反应类型可分为物理反应和化学反应，物理反应主要以轰击的形式使污染物离开表面，从而被气体带走;化学反应是活性颗粒与污染物发生反应，形成挥发性物质并被带走。在实际使用中，通常使用氩气进行物理反应，使用o2或h2进行化学反应。
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等离子体即电离的“气体”，它呈现出高度激发的不稳定态，气体内部带电粒子加速运动，发生碰撞，能量传递、电离、放电，产生紫外光，可见光等，激发后的粒子，能和周围的物质产生化学反应，有些反应在常规条件下是几乎不能发生的，因此等离子体有特殊的加工效果。 其处理过程是通过放电、高频电磁振荡、冲击波及高能辐射等方法使惰性气体或含氧气体产生等离子体。
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