表3.9不同宽度不同蚀刻machinesWaferCD中间的墙底部地形/底- CD nmICP EtcherCCP Etcher10.9220.52.530.31.7412.4512.260.60.3 Average0.71.6在等离子体清洗设备侧腐蚀过程中,除了一致性,损失也是一个侧壁腐蚀的重要参数。顶部高度损失较小会影响多晶硅栅的金属化厚度，CCP除胶机器增加多晶硅栅的电阻值。
包装基板为基板(SUB)。基板可为芯片提供电气连接、保护、支撑、散热、组装等功能，CCP除胶机器以实现多引脚、减少封装产品的体积、提高电气性能和散热、超高密度或多芯片模块化的目的。根据基板的柔软程度，PCB可分为刚性印刷线路板、柔性(flexible)印刷线路板(FPC)和刚性柔性组合印刷线路板。FPC由软铜箔基材(FCCL)制成，具有布线密度高、重量轻、柔性、三维组装等优点，适用于小型化、轻量化、移动电子产品。
3 .上电极功率300W，CCP除胶时间Ss;等离子体清洗方法，其特点是对气体清洗工艺设置的工艺参数如下:气室压力10- 20mg torre，工艺气流量- 300sccm，时间1-5s;启辉工艺的工艺参数设置如下:(气室压力10- 20mtorr，工艺气流量-300ccm，上电极功率250-400w, lv 1-5s;1 .气体冲洗工艺参数设置为:室压15毫升，工艺体流量300ccm，时间3s;工艺参数设置为:腔室压力15ml torr，工艺体积流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss等离子体清洗涉及蚀刻工艺场，完全满足去除蚀刻工艺后硅片表面残留颗粒的清洗。
低温等离子体:低于0CC的等离子体称为低温等离子体。冷等离子体可分为低温等离子体。粒子在电场的作用下,与不同的电气性能在高...
