图8两种方法的ICP结构用于等离子体刻蚀的ICP源一般为平面结构，双津高附着力镀铝CPP膜该方法容易取得可调的等离子体密度和等离子体均匀性分布，此外平面ICP源使用的介质窗也易于加工。石英和陶瓷是常用的介质窗资料。此外感应耦合ICP源也存在容性耦合，介质窗作为线圈和等离子体之间的耦合层是作为一个电容器存在，在线圈的输出端电压抵达2000V时，容性耦合将会构成。
电感耦合等离子体中的电子绕磁力线运动，双津高附着力镀铝CPP膜比电容耦合机中的自由程大，能在较低的压力下激发等离子体。等离子体密度比电容耦合等离子体高约两个数量级，电离率可达1%～5%。等离子体的直流电位和离子轰击能量约为20～40V。与电容耦合等离子体相比较；ICP的离子通量和离子能量可独立控制。为了更好地控制离子轰击能量，通常将另一个RF电源电容耦合到放置衬底的晶圆上。
刻蚀机的原理 感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，双津高附着力镀铝CPP膜简称ICPE）是化学进程和物理进程共同作用的结果。
CPP膜经等离子体处理，双津高附着力镀铝CPP膜其极性分量在总表面能中所占比例减小，而色散分量在总表面能中所占比例却增加。同时，当放置大约10h左右时，表面能及其极性分量和色散分量基本就已降到最低。而当放置10h以后，极性分量和色散分量变化基本趋于平衡状态。由上述可知，总表面能的下降是由于其中的极性分量减小而引起的，当极性分量减...
