在玻璃基板（LCD）上安装裸芯片IC的COG工艺过程中，华特达因估值分析当芯片粘接后进行高温硬化时，在粘接填料表面有基体镀层成分析出的情况。还时有Ag浆料等连接剂溢出成分污染粘结填料。如果能在热压绑定工艺前用等离子活化机清洗去除这些污染物，则热压绑定的质量能够大幅提升。进一步说，由于基板与裸芯片IC表面的润湿性都提高了，则LCD—COG模块的粘结密接性也能提高，同时也能够减少线条腐蚀的问题。。
表面先用氧气氧化5分钟，华特达因估值然后用氢气和氩气去除氧化层可同时处理多种气体。等离子体蚀刻在等离子体蚀刻过程中，由于处理气体的作用(例如硅被氟腐蚀)，蚀刻进入气相。处理后的气体和基体材料由真空泵抽提，表面连续覆盖处理后的新鲜气体。不想腐蚀的部件被材料覆盖(例如在半导体工业中使用的铬涂层材料)。利用等离子体对塑料表面进行刻蚀，并通过氧、灰的作用分析了填充混合物的分布。
在玻璃基板（LCD）上安装裸芯片IC的COG工艺中，华特达因收购后估值当芯片在键合后在高温下固化时，会在键合填料表面形成基底镀层并进行分析。有时，连接器的溢出成分（例如 AG 膏）会污染粘合填料。如果这些污染物可以在热压结合工艺之前通过等离子清洗去除，则可以显着提高热压结合的质量。此外，由于电路板与裸片IC表面的润湿性提高，LCD&MDASH；COG模块的附着力和附着力也得到提高，可以减少线路腐蚀问题。
图 5 VDC 配置2.1.2 等离子体参数2.1.2.1 气体和流量电负性气体是主要因素。保持其他工艺参数不变，华特达因收购后估值气体VDC的电负性特性如下：解决了。 O2和N2等电负性具有高的负偏压VDC，而含有F、Cl和Br的气体具有高电负性，因为VII族元素很容易吸附自由电子。含有因子 F、Cl ...