引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）来实现芯片内部引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。它起到了芯片和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成电路中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
集成电路引线框架一般采用铜材或铁镍合金（Fe42Ni），考虑到电气﹑散热与塑封匹配性以及成本等方面的因素，目前主要使用铜材，特别是双列直插式封装（DIP）和单列直插式封装（SIP）的插入式封装以及SOIC、QFP、PLCC等适合表面组装（SMT）技术要求的封装大多数都采用铜材。
由于铜合金具有较强的亲氧性，在封装工艺的热键合过程中极易发生氧化，从而形成一层氧化膜。应该看到，引线框架铜合金表面氧化状况对塑封料的粘接强度有较大影响，氧化膜一般是塑封料封装回流焊工艺中分层及裂纹的主要原因之一。按照分层发生位置，分为引脚分层和基岛分层。其中引脚分层会导致引线的第二焊点脱落，造成开路，直接影响芯片功能。基岛载体镀银区域分层会拉断地线，导致产品失效。
表面氧化的负面影响
引线框架表面氧化严重影响产品的工艺过程及可靠性。而当引线框架表面发生氧化后，以下问题往往会相伴而生：①降低引线框架与塑封料间的结合强度，在可靠性试验中容易形成分层；②降低金线/铜线键合的拉力值，氧化严重时因为拉力值过小而使仪器无法显示测量值，容易造成后期塑封过程中的断丝、交丝问题；③增加压焊过程中挡机频率，导线键合不稳定，降低生产效率，产能达不到量产要求，同时导线拉力值偏低、键合不稳定，是因为框架表面氧化形成的氧化层阻止了导线与框架的冶金结合，限制了共晶结构的形成；④在氧化很严重的情况下，压焊过程频繁挡机，无法实现焊线。
防氧化措施
铜基引线框架表面发生严重氧化，会阻碍导线的正常键合，降低框架与塑封料之间的结合强度，只有对引线框架的氧化过程进行有效的控制，将氧化膜厚度控制在一定范围内时，才能满足实际生产的要求。引线框架防氧化措施主要包括两个方面，一方面是封装工艺的优化，比如缩短框架的在线时间，降低加工温度，通入保护气体等；另一方面是铜合金材料本身，通过改变铜合金材料的成分、结构，提高材料本身的抗氧化能力。在实际生产...
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