如前文所述，氧化表面附着力标准HBr/O2对N型掺杂多晶硅的蚀刻率比未惨杂多晶硅高20%，极易产生缩脖效应，因此 HBr/O2的过蚀刻量要严格控制，一般以30%为宜，过少的过蚀刻量会导致多晶硅栅侧壁底部长脚(Footing)，过多的过蚀刻量会导致上部缩脖效应加剧。 等离子表面处理机过蚀刻步骤尽管采用具有针对栅氧化硅较高蚀刻选择比的HBr/O2蚀刻工艺，仍然容易导致硅穿孔(Pitting)及硅损伤。
表面的物理溅射是指等离子体中的阳离子在电场中获得能量并对表面产生冲击，氧化表面附着力标准该冲击将表面的分子碎片和原子去除，从而将污染物从表面去除。去除并且表面变得粗糙。它在分子水平上改变了微观形态，从而提高了表面的结合性能。氩气本身是惰性气体，等离子氩不与表面反应。一种常用的工艺是使用氩等离子体通过物理溅射来清洁表面。用等离子体进行物理清洗不会产生氧化副作用，保持被清洗物体的化学纯度，并具有各向异性腐蚀作用。。
其净化机理包括两个方面：一是在产生等离子体的过程中，氧化表面附着力标准高频放电产生的瞬时高能量足以打开一些有害气体分子中的化学键，分解成单质原子或无害分子；二是等离子体中含有大量高能电子、正负离子、受激粒子和氧化性强的自由基。这些活性粒子与一些气味分子碰撞，在电场作用下使气味分子处于激发态。当气味分子获得的能量大于其分子键能的结合能时，气味分子的化学键断裂，直接分解为单质原子或由单个原子组成的无害气体分子。
等离子技术拥有“无限的法力”，氧化表面附着力标准但它仍然广泛应用于像彩色荧光灯一样可以为人类带来无限清洁能量的可控融合，以及芯片制造行...
