ICP刻蚀（ICP刻蚀设备用久了要保养）ICP刻蚀机器

目前，ICP刻蚀机器等离子清洗机RIE/ICP刻蚀主要用于电阻变化存储器，存储单元的刻蚀轮廓过于倾斜，导致刻蚀后金属电极横向腐蚀严重。随后的工艺优化（如功率脉冲）或引入新的反应气体应该能够取得进一步的进展。等离子清洁器中性粒子束注入 (NBE) 是磁隧道结蚀刻所独有的，它往往会在当前 RRAM 应用中的电阻变化开关层中形成金属氧化物。。

_ 等离子表面清洗系统目前与LCD屏幕、Leds、IC芯片、pcb印刷电路板、smt部署器、贴片电感器和柔性电路相结合。电路板和触摸显示器的清洁和蚀刻。等离子清洗过的IC芯片可以显着提高焊盘的抗拉强度，ICP刻蚀设备用久了要保养降低电路故障的可能性。残留的光传感器抗蚀剂、环氧树脂粘合剂、有机溶液污泥和其他暴露于等离子体的有机化学污染物会被快速去除。 PCB 电路板制造商使用等离子表面清洁系统进行脱脂和蚀刻，并将绝缘导体插入孔中。

烃基、氨基、羧基等官能团为活性基团，ICP刻蚀设备用久了要保养能显着提高材料的表面活性。。了解等离子蚀刻的文章 了解等离子蚀刻的文章 为去赌博而引入，它在 1980 年代成为集成电路领域中成熟的蚀刻技术。常用的蚀刻等离子体源包括电容耦合等离子体（CCP电容耦合等离子体）、电感耦合等离子体（ICP）和微波ECR等离子体（微波电子回旋共振等离子体）。

图 7 离子撞击效应 3. 电感耦合等离子体 (ICP) 如图 8 所示，ICP刻蚀机器选择了两种类型的电感耦合等离子体源：圆柱形和平面结构。射频电流流过线圈，在腔室中产生电磁场，激发气体产生等离子体，偏置源控制离子冲击能量。这样，等离子体密度和离子冲击能量可以独立控制。因此，ICP蚀刻机提供了更多的控制方法。

ICP刻蚀

图 8 两种方法的 ICP 结构 用于等离子刻蚀的 ICP 源一般为平面结构，这样很容易获得可调的等离子密度和等离子均匀分布。此外，平面 ICP 源中使用的介电窗口也易于加工。石英和陶瓷是常用的介电窗口材料。此外，电感耦合ICP源也有电容耦合。介电窗口作为线圈和等离子体之间的耦合层，当线圈的输出电压达到2000V时形成电容耦合。

这种电容性高压可以在等离子体放电中点燃并持续存在，但是当部分高压形成时，会腐蚀介质窗口，产生颗粒，并且可以污染晶圆，因此存在性。通常选择串联在线圈末端的法拉第屏蔽或接地电容器来减少电容耦合。图 9 法拉第屏蔽 ICP 源结构。通常认为乙炔在等离子发生器条件下通过两种途径由甲烷生产：通常认为甲烷在等离子体发生器条件下通过两种途径产生乙炔： C2 烃的产率增加了 35%。

此外，这种方法环保，等离子清洗不需要使用危险的化学溶剂，也不用担心环境污染，可以节省大量成本。。3D逻辑与内存时代等离子清洗机低温等离子刻蚀技术演进 3D逻辑与内存时代等离子清洗机低温等离子刻蚀技术演进：继2014年NAND量产后，正式进入3D时代（3）我冲进了NAND​​）。 2015年，Logic产品也进入量产三维结构的鳍式晶体管。

如上所述，EED线的改进蚀刻技术已在各种机器上实现商业化，并在3D半导体产品市场上确立了地位。在 EED 方向上提高学术冷感还包括串联 ICP (Tandem) 和利用脉冲产生的负离子通过束流能量控制区形成中性粒子束蚀刻，但后者的选择性是一个薄弱环节。通常，IED 方向的超高频射频源可以实现窄离子能量峰值。这有助于实现高蚀刻选择性，但 UHFRF 通常会提供驻波效应。

ICP刻蚀机器

特别是对于大晶圆，ICP刻蚀机器它会影响等离子体的均匀性。目前向IED方向改进的商用机是东京电子开发的CCP机，其上电极采用负直流脉冲，主要用于刻蚀具有超高纵横比的存储器介电材料。该机制是在RF同步脉冲关闭时增加DC量，从而增加离子冲击能力和电荷中和能力。在ICP的方向上，学者们也提出了类似的想法。也就是说，在同步脉冲的基础上，直流电通过上电极（负极）或下电极（正极）。

由于源射频和等离子体清洁器 ICP 的偏置射频之间的耦合可以忽略不计，ICP刻蚀机器因此该直流脉冲的引入允许精确控制不同材料之间蚀刻的高选择性比。可以达到ALE刻蚀的面积，远远优于传统的基于气体脉冲的ALE刻蚀四步法（吸附、排气、反应、排气）。除了改进 EED 和 IED 的方向，Lam 的混合脉冲（AMMP、气体、射频功率等）、超高偏置射频源和蜂窝（Hydra）静电卡盘加热也是等离子清洁蚀刻机。