等离子体中有正负电荷、亚稳态分子和原子。另一方面，电晕机表面处理的原理当各种活性颗粒在被清洗物体表面相互接触时，各种活性颗粒会与物体表面杂质的污垢发生反应，形成挥发性气体等物质，从而将挥发性物质抽入真空泵。例如，ROS等离子体氧化材料表面的有机物质。相反，各种活性颗粒会轰击清洁材料表面，使污染在材料表面的杂质随真空泵的气流被吸走。
相信有朋友注意到了，电晕机表面处理的原理在等离子体清洗设备辉光放电过程中，真空室有时会呈现出不同颜色的工作环境，这主要是由于引入的气体不同造成的。等离子体清洗机使用的工艺气体不同，电离后形成的等离子体颜色也不同。常见的工艺气体有氩气、氧气、氮气、二氧化碳等，等离子清洗设备引入不同的工艺气体时，也可称为氩等离子体清洗机和氧等离子体清洗机&HELLIP；&Hellip；诸如此类。
小银胶村底：污染物会导致胶体银呈球形，等离子电晕机表面处理不利于贴片，易刺伤芯片。使用RF等离子清洗可大大改善表面粗糙度和亲水性，有利于银胶体和瓷砖贴屑。同时，使用量可节省银胶，降低成本。拱形键合：芯片与基板键合前和高温固化后，存在的污染物可能含有微粒和氧化物，这些污染物铅的物理化学反应和芯片与基板的焊接不完全，键合强度差，附着力不足。引线键合前，射频等离子体清洗可显著提高键合引线的表面活性、键合强度和抗拉强度。
4.生长优势明显：Crf等离子体表面处理后，等离子电晕机表面处理种子活力和各种酶活性显著提高，显著促进植株根系生长，根数和干物质重显著增加。主要表现为根状茎粗壮结节，生长快，作物生长旺盛，植株一般健壮；5.促早熟增产：采用Crf等离子表面处理仪表面处理技术对处理作物进行改良，使果实早成熟，平均籽粒产量提高8%~12%。。
等离子电晕机表面处理
等离子体表面处理技术可以快速彻底地去除物体表面的污染物，可以增加这些材料的粘度、亲水性、焊接强度和疏水性。电离过程易于控制，安全重复使用，不会对材料造成任何损伤和二次污染。是提高产品可靠性的理想表面处理技术。通过等离子体设备表面活化、刻蚀和表面沉积，等离子体技术可以改善大多数物质的性能：清洁度、亲水性、拒水性、附着力、标记性、润滑性和耐磨性。1.灰化金属表面有机层表面将受到物理轰击和化学处理。
发射光在清洗金属表面中的作用；等离子体同时发光，光能高，穿透力大。在光的作用下，金属表面污垢分子的分子键断裂，有利于促进污染物分子进一步活化，清除金属表面污垢。综上所述，等离子体表面处理器主要依靠等离子体中的电子、离子、激发态原子、自由基等活性离子的活化，使金属表面有机污染物的大分子逐渐分解，形成稳定易挥发的简单小分子，将粘在表面的污垢与表面彻底分离。
因此，如果化学反应是主要反应，就需要控制较高的压力来反应。2)等离子体物理反应它主要是利用等离子体中的离子进行纯物理冲击，敲除材料表面的原子或附着在材料表面的原子，因为压力较低时离子的平均自由基较轻较长，而且它们已经积累了能量，物理冲击中离子的能量越高，冲击越大。因此，如果以物理反应为主，就要控制较高的压力进行反应，这样清洗效果更好。由于未来半导体和光电子材料的快速增长，这一领域的应用需求将越来越大。
当能量密度达到300kJ/mol时，引发等离子体反应。随着能量密度的增加，C2H6和CO6的转化率增加，C2H4和C2H2的总收率增加，直到能量密度达到1500kJ/mol。能量密度的进一步增加导致等离子体放电不稳定。在流动等离子体反应器中，能量密度的增加意味着高能电子能量和数目的增加，这将有利于反应方程（3-26）到（3-29）,等离子体反应器中活性物种的相对量增加。
电晕机表面处理的原理
一般低温等离子体的能量为几至几十电子伏特（电子0～20eV，电晕机表面处理的原理离子0～2eV，亚稳态离子0～20eV，紫外/可见光3～40eV)。由此可以看出，低温等离子体的能量高于化学键的能量，已经使PTFE表面的分子键断裂，产生刻蚀、交联、活化等一系列物理化学反应。利用各种非聚合气体(Ar、He、O2、N2、H20空气等）对聚四氟乙烯表面层进行活化和功能化，形成相应的低温等离子体已成为研究的热点。
在芯片封装生产中，等离子电晕机表面处理等离子体清洗工艺的选择取决于后续工艺对材料表面的要求、材料表面的原始特性、化学成分和表面污染物的性质。在半导体后方生产过程中，由于指纹、助焊剂、焊料、划痕、污渍、灰尘、树脂残留物、自热氧化、有机物体等，等离子清洗技术可以轻松去除这些在生产过程中形成的分子级污染物，从而显著提高封装的可制造性、可靠性和良品率。下面我们来谈谈这四种工艺的应用。
