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由充电效应引起的栅极氧化层退化是集成电路制造技术中的一个严重问题。引起PID的主要机制有:(1)等离子体密度。高等离子体密度意味着充电损伤模型中电流越大，高等离子体密度更容易引起PID问题。Krishnan等发现当ICP蚀刻反应室的高度从8cm降低到5cm时，晶片表面的电场强度显著增加。等离子体密度的增加会导致带电，导致严重的设备损坏。(2)等离子体局部不均匀性。

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