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首先通过第一次曝光和蚀刻，p20真空氮化形成一条长线条的图形，俗称P1。然后做第二次曝光工艺，一般采用硅底部的增透层夹层结构工艺，即先用旋涂工艺沉积较低的一层，然后旋转中层含有硅底面的增透层;旋转光敏电阻的曝光过程和切割孔。通过蚀刻工艺切割多晶硅栅格通常被称为P2。这种双显卡技术有效地避免了原显卡技术中栅长和栅宽对黄光曝光的限制。

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目前，产品广泛应用于包装、塑料制品、通讯、汽车、家电、光电、纺织、半导体及精密制造等行业的表面涂覆、表面粘接、表面清洗，尤其rush rush。通过多年的市场实践和等离子体新技术的研究和应用，成功地推动了我国低温等离子体技术在等离子体尘埃、晶体、材料合成、微纳米技术、化工、环保、表面接枝聚合、表面、表面蚀刻和表面氮化催化、金属、气体、液体和固体物质的化学合成和加工等方面。

除上述问题外，等离子清洗机等离子表面处理器蚀刻切割后的侧壁还存在氮化钛甚至氧化硅残留物。经过长时间的蚀刻，上述残留物被清除，但氮化钛顶部受损严重。如果采用各向异性蚀刻(如低压高偏置功率C4F8/Ar蚀刻氧化硅或Cl2/N2蚀刻氮化钛)，两种工艺的CD损耗和氮化钛剖面形状都较好，副作用是基片损耗严重。

在等离子体设备的刻蚀过程中，源极漏区的金属硅化物总是暴露出来，金属硅化物决定了源极漏区的电阻。因此，在等离子设备侧墙拆除过程中，应严格控制金属硅化物的损伤。由于侧壁一般由氮化硅制成，湿法蚀刻主要采用热磷酸溶液。湿法刻蚀具有氮化硅对金属硅化物选择性高的优点，在高刻蚀量的条件下能很好地控制金属硅化物的损伤。同时，湿法蚀刻属于各向同性蚀刻，与等离子体干式蚀刻相比，湿法蚀刻能有效去除侧壁。

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计算钢瓶中现有气体的体积:这一步很容易理解，p20真空氮化模板寿命有多少我们需要知道我们现在有多少气体，那么我们如何计算它呢?如果一种瓶装气体的压力为15.00mpa，容量为40L，则该瓶装气体释放的常压体积可计算为15*10*40=6000L。

生产线的制造速度是多少?答:由于材料不同、工艺不同、验收标准不同，p20真空氮化没有人能对这个问题给出确切的答案。