作为稀释气体，氮化硼的表面改性Ar和He对GST形态影响不大，但He用于四线图组时，边缘图和中心图的负荷较小。对于Ar，载荷更显著，这可能是由于Ar和he 2之间存在显著的质量差异所致。氮化钛是GST刻蚀常用的硬掩模，其轮廓形状直接影响底层GST的轮廓。氯气(Cl)主要用于氮化钛的蚀刻。
在射频低温等离子体发生器氮化中，氮化硼的表面改性低温等离子体发生器的产生和衬底偏压的产生是分开控制的，因此离子能量转换和衬底表面通量可以分开控制。由于工作压力相对较低，消耗的气体量也相应减少（低）。在渗氮过程中，低能量转换的直流辉光放电可产生NH原子，这些高活性原子可用于渗氮。整个过程需要外接电源对工件进行加热，与气体渗氮工艺类似。这类工业不仅可以精确控制表面拓扑结构，而且可以选择是否形成复合层。
在等离子体表面处理改性过程中，氮化硼的表面处理改性不仅可以去除污垢(如有机物)，还可以产生一些功能极性基团，促进键合，通过交联产生奖励效应。电晕放电是许多聚合物在缠绕和涂覆过程中经常使用的一种方法，对许多聚合物具有经济有效的作用。新开发的表面处理技术可以对射频厂的混合气体进行电离，并结合直流磁控溅射技术，利用等离子体处理技术对其表面进行氧化、氮化、氨化或水解等处理，以提高材料的表面能，改善其结合性能。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等离子表面处理，氮化硼的表面处理改性其性能高度依赖于薄膜的制造条件。等离子化学气相沉积（简称PECVD）具有沉积温度低（<400℃）、沉积膜针孔密度低、均匀性高、台阶覆盖率好等优点。 PECVD氮化硅薄膜技术广泛应用于半导体器件和集成电路的开发、芯片固定化膜的制作、多层布线之间的介质膜的制造，并已发展为大规模和超大规模集成。
氮化硼的表面改性
磷树脂在燃烧时，热分解后生成重磷酸，脱水能力极强，使聚合物树脂表面形成碳化膜，隔离树脂燃烧表面与空气的接触，使火灾熄灭，达到阻燃效果。一种含有磷和氮化合物的聚合物树脂，在燃烧过程中产生不可燃气体，帮助树脂体系阻燃无卤素平板的特性由于卤原子被P或N取代，在一定程度上降低了环氧树脂分子键段的极性，从而提高了绝缘性能和耐磨性。
因为氮化硅侧墙蚀刻可以停止在下面的氧化硅层上，所以不会对硅有影响 这样的侧墙也叫氮化硅侧墙或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)侧墙。到了0.18μm时代，这个氮化硅侧墙的应力太大，会造成饱和电流降低，漏电增加。为了降低应力，需要提高沉积温度到700℃，量产的热成本将会提高，同样会增加漏电。因此在0.18μm时代选用ONO侧墙。
有机大分子的化学键可以被完全破坏形成新的键，但远低于高能辐射射线，高能辐射射线只涉及材料表层，不会影响其性能。在低温等离子体中，处于非热力学平衡状态的子粒子具有较高的动能，能打破材料表层分子的化学键，提高粒子的化学反应活性（大于热等离子体）；结果表明，中性粒子的温度接近常温，有利于热敏聚合物表面层的改性。1.硅胶表面具有表面能低、润湿性差、结晶度高、非极性分子链、弱边界层等特点，对环境友好。
2.可清除FPC柔性板上的干膜残留物。3.等离子清洗技术后，能有效加强焊接字符的附着力，防止其脱落。4.针对电子/电路板行业，起到活化、改性、喷涂的作用。与传统清洗方式相比，等离子清洗有哪些优势：1.经等离子清洗技术清洗后，清洗物品已彻底干燥，无需再次干燥即可送往下一道工序。2.未采用三氯乙基甲基ODS有害溶剂，等离子体清洗技术清洗后不会产生有害物质，属于环保绿色清洗方法。
氮化硼的表面改性
除此之外，氮化硼的表面改性还会造成资料表面产生交联反响，所谓交联，主要是自由基经过重新组合之后，表面会构成网状交联层。 然后，等离子表面改性进程中，会引入极性基因安排。放电控件反响活性粒子和资料表面的自由基产生结合，然后引入活性十分强的极性基因。
半成品的粘合性能受环境（温度、湿度、光照、通风等）、胶料的保质期和粉尘等因素的影响。粘接和加油过程复杂，氮化硼的表面处理改性需要很多工艺点，并且受温度和湿度的影响很大。在温差较大的季节，更容易出现胶粘剂变化的问题。时间，它不环保，影响操作者的健康和安全。和其他严重缺陷。如今，等离子车架机中的低温等离子技术广泛应用于汽车行业材料的表面处理，用于对仪表、座椅、发动机、轮辋、汽车油漆和橡胶密封件等零件进行改性。
