在普通催化条件下的CO2氧化CH4制C2烃反应中，氧分子在催化剂表面活化当反应温度为820℃时，负载型 Na2WO4催化剂给出的C2烃选择性高达94.5%，尽管甲烷转化率较低（4.73%)。结论是：在plasma等离子体条件下Na2WO4/Y-Al203依然具有较高的C2烃选择活性，在等离子体注入功率30W时，C2烃选择性为72%。
相反，催化剂表面活化氢促进了C2H4向C2H6的转化，提高了C2烃产物中C2H6的摩尔分数。活性组分PD和LA2O3的推荐负载分别为0.01%和5%，即催化剂为0.01%PD-5%LA2O3/ Y-al2o3。。用CH4和二氧化碳作为等离子清洗机的原料生产C2碳氢化合物的复合反应:CH4和二氧化碳作为原料气生成C2碳氢化合物是一个有趣的反应。二氧化碳加氢反应的完全还原产物为CH4，部分还原产物为C2。
等离子体轰击可以引起硅藻土局部温度升高，催化剂表面活化氢高温热解可以去除孔隙中的有机碎屑，从而留下更有效的空间，表现为BJH吸附孔体积增大。等离子体技术是硅藻土改性的一种有效方法。硅藻土孔隙体积的增大可以使反应气体利用更加顺利，催化效率更高。
在氧自由基、激发态氧分子、电子和紫外线的共同作用下，催化剂表面活化氢油分子最终被氧化为水分子和二氧化碳分子，并从物体表面去除。由此可见，等离子体去除油渍的过程是一个有机大分子逐渐降解的过程，最终形成水、二氧化碳等小分子，这些小分子以气态形式排除。等离子体清洗的另一个特点是，清洗后的物体已彻底干燥。
氧分子在催化剂表面活化
理论上，硅胶表面层中有氧分子，有负极和静电感应的粉尘颗粒，有正极的粉尘颗粒，所以粉尘颗粒和静电感应表面层可以相互吸引，导致表面层难以清洁，危及产品的外观和实际使用效果。等离子体技术表面改性材料技术可以改善硅胶的特性。低温等离子清洗机的表面处理使原料表面发生各种物理化学反应，会形成蚀刻、粗化，或产生高密度化学交联层，或引入含氧官能团。
用设备对硅胶表面层进行处理，结果表明，N2、Ar、O2、CH4-O2和Ar-CH4-O2能提高硅胶的亲水性。利用等离子体技术，可以改变硅胶表面层的氧分子，使负表面层变为正极。具有低静电感应特性和良好的防污特性，适用于眼镜架、表带等商品，以及医疗器械、运动产品，使本产品具有良好的特性。等离子体表面处理技术适用于化学纤维、聚合物、塑料等原材料，也可用于金属材料和结构陶瓷的清洗、活化和蚀刻。
进一步研究证明，在氧气或空气等离子体放电处理中，放电产生的活性氧是抗生素降解的主要因素，其中羟基自由基起主要作用，所涉及化学反应主要是破坏诺氟沙星的哌嗪环和发生脱氟羟基化等作用；而在氮气放电条件下，若添加过氧化氢，则活性氮是降解抗生素的主要因素。另外，研究人员还证实等离子体放电产生的臭氧和紫外光也可起作用。该研究为利用低温等离子体技术处理水体中抗生素提供了理论支持，也为技术应用提供了依据和方向。
金属材料等离子表面上的有机有机改性剂的改性或聚合物表面的金属化都涉及聚合物与金属材料的粘附。 Zhang 等人研究了 PTFE (PTFE) 对金属铝的粘附性。首先使用氩等离子蚀刻机（频率）PTFE预处理速率40kHz，功率35W，氩气压力80Pa)。接下来，使用丙烯酸酯甘油，GMA，将铝热蒸发并与改性后的GMA共聚反应生成过氧化氢和过氧化物，然后将铝热蒸发，使用GMA改性PTFE和A的共聚物。
氧分子在催化剂表面活化
虽然并没有法律法规这类铜复合板含溴阻燃剂,但是这种铜箔板含有溴、燃烧或电气火灾时,会释放大量的有毒气体(溴化类型),烟雾;当PCB用于热气球平整和组件焊接,2 .板材受高温(& GT(00)也会释放出微量的溴化氢;是否也会产生有毒气体仍在评估中。在结论。使用卤素作为原料会带来巨大的负面影响，氧分子在催化剂表面活化所以有必要禁止使用卤素无卤素底物原理目前，大多数无卤物质主要由磷系和磷氮系组成。
离子冲击或将高分子化合物注入表面层，氧分子在催化剂表面活化要么破坏键合，要么引入官能团，使表面活化，达到改性的目的。三、反应等离子体发生器反应等离子体是指等离子体中的活性粒子与耐火材料表层发生化学反应，从而引入大量极性基团。也就是说，材料的表层转变为非极性极性，增加了表面张力并增加了附着力。此外，在等离子体的影响下，耐火材料表层分子链断裂和交联，增加了表层分子的相对分子量，改善了弱边界层的条件，也起到了积极的作用。
