这对于蚀刻的优点是定义通道材料图案的单一目的。此前，CCPplasma蚀刻机器CCl2F2气体用于刻蚀，但由于选择性和等离子体对底层膜的破坏，有人开发了两种组合的气体等离子体刻蚀方案，CHF3+BCl3和CF4+BCl3。在有效性方面，两种方法都可以实现更快的蚀刻速率和更高的 InAlAs 选择性，并且在低电压和高射频功率下更容易实现。两种相似材料之间蚀刻速率的差异是由于反应产物的挥发性不同。
首先，CCPplasma蚀刻等离子体中含有大量的高能粒子（氧自由基，尤其是氧自由基）和光线。高能粒子在与材料表面碰撞时与CC键和CH键结合，从而实现能量转移。因此，在材料表面形成了大量的氧自由基，相邻的分子氧自由基可以结合，与等离子体中的活性粒子发生交联或反应。将生成一系列新组。当它与空气中的氧气发生反应时，在聚合物表面形成一种具有强张力的氧自由基。
蚀刻条件是通过 AZ4620 用氧气 70 sccm 和氩气 30 sccm 的混合物、偏置电压 150 W、压力 55 mT 和厚度 20 μm 的混合物进行两次旋涂获得的图案。这些条件下的石墨烯刻蚀速率约为 100 nm/min，CCPplasma蚀刻机器但光刻胶 AZ4620 的刻蚀速率为 330 nm/min，需要更厚的光刻胶或 3 层掩模结构。幸运的是，这种情况不适合非晶态。
作为参考，CCPplasma蚀刻机器标准逻辑工艺的接触孔纵横比通常为 4-7，但 3D NAND 接触孔纵横比一般在 10 以上，并随着控制栅层数的增加而增加。 ..因此，等离子表面处理机和蚀刻机的制造商开发了高纵横比蚀刻（HAR蚀刻）模型，以满足3D NAND的工艺要求。该过程通常使用等离子表面调节等离子清洁器的电容耦合等离子蚀刻 (CCP) 模型来执行。
CCPplasma蚀刻
该过程通常使用等离子表面调节等离子清洁器的电容耦合等离子蚀刻 (CCP) 模型来执行。与通道通孔蚀刻的工艺要求类似，接触孔蚀刻需要比逻辑蚀刻工艺更强的偏置功率，通常要高出三倍以上。同时，它采用低频偏置电源提供更长的无离子路径，提高了等离子表面处理机的等离子清洗机将等离子蚀刻到接触孔底部的能力，从而支撑侧壁在.避免变形。减少接触孔底部和蚀刻停止。可能性。
具体流程如下：首先，将多层陶瓷片在高温下共烧成多层陶瓷金属化板，然后在板上形成多层金属线，然后进行电镀。板、芯片和 PCB 板之间的 CTE 差异是 CBGA 组装过程中产品故障的特定原因。除了CCGA结构，其他陶瓷基板（HITCE陶瓷基板）也可以用来弥补这种情况。
在非热力学平衡的冷等离子体中，电子具有很高的能量，可以破坏材料表面分子的化学键，提高粒子的化学反应性（大于热等离子体）。中性粒子的温度接近室温，这些优点为热敏聚合物的表面改性提供了合适的条件。低温等离子表面处理使材料表面发生各种物理化学变化，蚀刻和粗糙化，形成高密度交联层，或亲水性和粘附性、染色性、生物相容性、电学特性得到改善。
等离子体的状态，即物质的第四态，是由被剥夺了部分电子的原子组成的离子，并产生正负电子。原子电离后的变化气态物质。这种电离气体由原子、分子、原子团、离子和电子组成。其对物体表面的作用可以实现物体的超净清洗、物体表面的活化、蚀刻、精加工、等离子表面镀膜。由于物体表面的低温等离子体强度比高温等离子体强度弱，因此可以保护被加工物体的表面，低温等离子体主要用于应用。
CCPplasma蚀刻机器
低温等离子表面处理使材料表面发生各种物理化学变化，CCPplasma蚀刻机器蚀刻和粗糙化，形成高密度交联层，或亲水性和粘附性、染色性、生物相容性、电学特性得到改善。由于在适当的工艺条件下对材料表面进行处理，材料表面形貌发生剧烈变化，引入各种含氧基团，使表面无极性，难以粘附。恒定的极性、粘性、亲水性。适用于胶合、涂层和印刷。当在电极上施加交流高频和高压时，两个电极之间的空气会产生气体电弧放电以形成等离子体区域。
