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Atr-ftir对等离子体处理器处理后的铝板分子层结构的分析表明,等离子体发电机电动势在1583.07cm处有一个很强的吸收峰,这也是PEG结构中C-O键的特征吸收峰,表明沉积的表面层为类PEG结构。1780.21cm处的吸收峰表明存在C-O键,说明部分交联反应发生在peG-like结构的形成过程中。铝板经等离子体处理器清洗后的细菌附着力较改造前明显降低。

低温等离子体去除污染物的机理:在化学反应过程中等离子体传递化学能其传递过程大致如下:(1)电场+电子和RARR;(2)高能电子+分子(或原子)和RARR;(被激发态原子、被激发态基团、(3)活性基团+分子(原子)& RARR;生成物+热(4)活性基团+活性基团& RARR;生成物+热从上述过程可以看出,等离子体发电机电动势电子首先从电场中获得能量,然后通过激发或电离将能量转移到分子或原子中。

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与三种活化方法相比,等离子体催化活化CO2氧化CH4生成C2烃类反应具有应用潜力,值得进一步研究。表4-3激活方式比较(单位:%)激活方式sxcogxchscycyc, H.Ycoplasma20.226.547.912.7plasma-catalysis22.024.972.718.113.828.6 1.633.2The catalytic3.72.197.02.0> 2.0。

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从等离子体涡流效应来看,电流频率越高,磁通变化率越大,感应电动势越大,涡流效应越显著,等离子体束越稳定。由于高频交流电涡流效应的存在,等离子体束具有集肤效应。电流频率越高,穿透深度越小,集肤效应越显著,等离子体中带电粒子越集中。在表面层,表面电子密度增加,自吸现象(发射器向外辐射的谱线中心的强度被自身原子削弱的现象)减少,等离子体更加稳定。

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等离子体刻蚀对等离子体设备中NBTI的影响:负偏置温度不稳定性(Negative bias temperature instability, NBTI)是指PMOS在负栅偏置和高温下工作时,等离子体发电机电动势Vth、GM、Idsat等器件参数的不稳定性。如果是NMOS器件,对应PBTI,正偏置温度不稳定。NBTI效应发现于1961年。产生NBTI效应的主要原因是PMOS中加入了负栅偏置。

等离子体表面处理装置的工艺包括等离子体表面清洗、等离子体表面活化、等离子体表面刻蚀和等离子体表面涂覆。等离子体表面处理技术广泛应用于精密电子、半导体、汽车制造、生物医药、新能源、纺织印染、包装印刷等多个行业和领域。。管丝等离子清洗机表面处理提高非极性塑料表面张力:管丝表面张力低,等离子体发电机电动势能很好地粘附在涂层表面。在许多情况下(事实上,在所有情况下),表面张力都可以通过等离子清洗机表面处理来达到所需的附着力。