实验结果表明，介质plasma表面处理设备CU/LOW-K结构在低电场作用下的断裂时间与根E模型估计的断裂时间接近，实验证实了根E模型的正确性。增加LOW-K材料的孔隙率可以有效降低K值，但也会增加材料缺陷。当电介质间距减小到 30 NM 以下时，多孔 LOW-K 材料在高压下的断裂时间急剧下降，甚至从模型估计的断裂时间也可能达不到消费类电子产品所需的寿命。
同时，介质plasma表面处理设备等离子体中的氧离子渗透多孔LOW-K，与分子结构末端的甲基的C结合并去除，耗尽表面的碳，进一步破坏LOW-K结构. 增加。等离子体还发射真空紫外线（VUV），LOW-K对这些高能光子的吸收可以破坏化学键，在表面形成低能导电通道。这些由等离子体引起的缺陷会在 TDDB 测试期间成为电荷陷阱，在应力下捕获电荷并降低电介质表面势垒，从而加速电介质。质量分解。尼科尔斯等人。
在没有绝缘介质阻挡的情况下，介质plasma去胶机极板气隙中的带电粒子倾向于以非常快的速度向两个极板移动。很难被气流吹掉，而且当两块极板被吹掉时，每块极板都被绝缘片覆盖后，这些带电粒子会到达绝缘介质的表面而不是极板。当施加于双极板的高频交流电源电压反向时，双极板间隙中的空气在强电场的作用下再次雪崩并电离，电流立即被切断，产生一个脉冲陡峭的电流曲线。此时，基质空气中仍有带电粒子，继续向两端的极板移动。
等离子体发生器冷等离子体：电子温度高（103-104K），介质plasma去胶机气体温度低（薄低压辉光放电等离子体、电晕放电等离子体、DBD介质阻挡放电等离子体、电缆阶梯放电等离子体等）。 2、等离子体发生器按等离子体的状态： （1）等离子体发生器 平衡等离子体：气体压力高，电子温度和气体温度几乎相等的等离子体。常压下的电弧放电等离子体和高频感应等离子体。
介质plasma表面处理设备
(2)等离子发生器的非平衡等离子体：在低压或常压下，电子温度远高于气体温度。低压直流辉光放电、高频诱导辉光放电、大气压下DBD介质阻挡放电产生的冷等离子体等。
2、辉光放电区：当电流再次增大时（10-5到10-1蚂蚁），阴极在低压条件下与离子碰撞，向阳极加速，从而发射电子。靠近阴极的是一个电位差较大的阴极滴区。在电极之间的中心部分，有一个电位梯度较小的正柱区，其介质为非平衡等离子体。在没有气体对流的情况下，正区的电子和离子以相同的速率向壁面扩散，在壁面结合并释放能量。在经典理论中，横截面上的电子密度分布是贝塞尔函数的形式。
主要流程如下：首先将待清洗的工件送入真空系统进行固定，真空泵等设备逐渐抽真空至10PA左右的真空度。然后将等离子清洗气体引入真空系统（根据清洗材料的不同，使用氧气、氢气、氩气、氮气等不同的气体，并保持真空系统的压力为100帕左右。增加之间的高频工作电压）电极和接地装置，根据真空系统产生的电弧放电体的电离作用，气体被分解，产生等离子体。等离子完全覆盖并清洗工件后，逐渐清洗，清洗过程持续几十秒到几分钟。
等离子清洗机省去了清洗液的运输、储存、排放等处理手段，可以处理任何物体。等离子清洗机可以处理多种材料，低温等离子处理设备特别适用于耐热和耐溶剂的材料，也可以选择性地使用。
介质plasma去胶机
等离子清洗机/等离子处理器/等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、等离子蚀刻、等离子脱胶、等离子涂层、等离子灰化、等离子处理、等离子表面处理等。通过等离子清洗机的表面处理，介质plasma表面处理设备可以提高材料表面的润湿性，可以对各种材料进行涂镀，提高附着力和附着力，去除有机污染物和油污。同时涂抹润滑脂。
