因此，漆面附着力一级对氢氟酸的使用，需要兼顾硅沟槽的清洗效果和浅沟槽隔离氧化硅的损耗。 锗硅的外延生长对硅沟槽表面性质非常敏感，很容易形成各种外延缺陷。因此对硅沟槽等离子清洗机设备干法蚀刻后的灰化工艺选择就变得非常关键。灰化工艺不仅要去除残余光阻，还要得到纯净的硅表面以利于锗硅的外延生长。灰化工艺包含氧化型灰化，低氢混合气体(含有4%氢气的氮气氢气混合气体)灰化、高氢混合气体(氢含量大于20%)灰化。
利用低温等离子体技术，怎么提高底材的漆面附着力在获得需要的材料表面的同时，不会损失材料本身的物理性质。等离子处理不会影响材料的物理性质，经等离子处理的材料部位与未经等离子处理的部位相比，一般是视觉上难以分辨，物理上也难以分辨。 低温等离子体表面处理通常是一个引起表面分子结构变化或表面原子排列的等离子体反应过程。等离子体表面处理即使在氧、氮等不活泼的环境中也能在低温条件下产生高活性的基团。
在精密加工技术要求日益严格的今天，怎么提高底材的漆面附着力这些残留往往会对生产过程和产品的可靠性造成不利影响。
例如，漆面附着力一级当多晶硅关键尺寸大于硬掩膜的关键尺寸时，偏置侧墙在后续的P型硅锗凹槽(PMOS Silicon Recess，PSR)等离子表面处理仪蚀刻中将会受到更多的消耗，一旦偏置侧墙的厚度不足以保护顶部的多晶硅时，在后续的硅锗外延生长中，在多晶硅顶部将有很大几率生长出硅锗外延形成缺陷，造成器件失效；当多晶硅关键尺寸小于硬掩膜时，这种缺陷出现几率将会小很多，有利于良率提高。
漆面附着力一级
五、plasma设备用切片法 适用于续作切片观察的行业，例如PCB和FPC加工行业，通过制作切片，利用晶相显微镜观察和测量线路板孔内的刻蚀(效)果。六、plasma设备用称重法 尤其适合检(测)等离子对材料表面进行刻蚀和灰化后的(效)果，主要目的是验证plasma设备的均匀性，这是比较高的指标，一般国内设备均匀性都不够理想。。
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