1.4 氧化物 半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下外表会构成天然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制作的许多工步,还包含了某些金属杂质,在一定条件下,它们会转移到圆片中构成电学缺点。这层氧化薄膜的去除常选用稀氢氟酸浸泡完结。 等离子清洗机在半导体晶圆清洗工艺上的应用 等离子体清洗具有工艺简单、操作便利、没有废料处理和环境污染等问题。但它不能去除碳和其它非挥发性金属或金属氧化物杂质。
用等离子体进行物理清洗不会产生氧化副作用，龙岩等离子清洗机装置分子泵价格表保持被清洗物体的化学纯度，并具有各向异性腐蚀作用。 3.3 反应离子腐蚀化学清洗和物理清洗各有优缺点。当这两种机制在反应离子腐蚀中结合起来时，物理和化学反应都起着重要作用，并相互促进。选择好、清洗速度快、均匀度好、方向性好。
6、设备组合性强：“低温等离子体”产品重量轻，龙岩等离子清洗装置罗茨真空泵定制体积小，可按场地要求立放、卧放，可根据废气浓度、流量、成份进行串、并组合设计达到完全的废气净化。 7、设备使用寿命长：本设备由不锈钢材，铜材、钼材、环氧树脂等材料组成，抗氧化性强，对酸、碱气体、潮湿环境等具有良好的防腐性能。使用寿命长达15年以上。
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当能量密度超过0 kJ/mol时，CH4转化率和C2烃产率随着增加而迅速增加。能量密度慢。在这个反应中，能量密度的增加并不意味着能量效率的提高，而是呈下降趋势。因此，从能源效率的角度来看，您需要选择合适的能量密度。 N2添加对等离子体中CH转化反应的影响：随着供气中N2浓度的增加，CH4转化率增加，说明惰性气体中有N2。对 CH4 转换很有用。
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