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只有在加入侧墙保护层生成气体氧气之后， 真正的各向异性蚀刻才可以达成。另外，有报道说在很多低温等离子体蚀刻过程中，等离子表面处理机离子轰击才是决定性因素，这主要是因为降低反应温度可以有效减慢表面化学反应。 等离子表面处理机低温反应中应用SF6/O2连续等离子体蚀刻硅基材的过程被称作标准超低温过程，从而来实现蚀刻和保护并行进行。保护层的大分子薄膜中主要含有SiOxFy无机化合物。
等离子表面处理设备主要有三种操作模式：等离子表面处理改性（PST法）、等离子接枝聚合（PGP法）和等离子沉积聚合（PPD法）。 PST法是指对材料表面或极薄的表面层进行活化和蚀刻，通常称为还原处理。等离子表面处理机中电子等活性因子的能量（最高可达20eV）远高于有机化合物的化学键能（<10eV），因此具有化学活性。处理有机物时，被处理物表面的纤维易碎，提高了纤维和布匹的吸湿性、拒水性、抗污性和染色性。
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