图8两种方法的ICP结构用于等离子体刻蚀的ICP源一般为平面结构，双津高附着力镀铝CPP膜该方法容易取得可调的等离子体密度和等离子体均匀性分布，此外平面ICP源使用的介质窗也易于加工。石英和陶瓷是常用的介质窗资料。此外感应耦合ICP源也存在容性耦合，介质窗作为线圈和等离子体之间的耦合层是作为一个电容器存在，在线圈的输出端电压抵达2000V时，容性耦合将会构成。
电感耦合等离子体中的电子绕磁力线运动，双津高附着力镀铝CPP膜比电容耦合机中的自由程大，能在较低的压力下激发等离子体。等离子体密度比电容耦合等离子体高约两个数量级，电离率可达1%～5%。等离子体的直流电位和离子轰击能量约为20～40V。与电容耦合等离子体相比较；ICP的离子通量和离子能量可独立控制。为了更好地控制离子轰击能量，通常将另一个RF电源电容耦合到放置衬底的晶圆上。
刻蚀机的原理 感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，双津高附着力镀铝CPP膜简称ICPE）是化学进程和物理进程共同作用的结果。
CPP膜经等离子体处理，双津高附着力镀铝CPP膜其极性分量在总表面能中所占比例减小，而色散分量在总表面能中所占比例却增加。同时，当放置大约10h左右时，表面能及其极性分量和色散分量基本就已降到最低。而当放置10h以后，极性分量和色散分量变化基本趋于平衡状态。由上述可知，总表面能的下降是由于其中的极性分量减小而引起的，当极性分量减小时，其总表面能就下降，润湿性降低；当极性分量增加时，其总表面能就上升，润湿性增加。
双津高附着力镀铝CPP膜
等离子体表面处理可显著提高CPP膜的表面润湿性:总表层随时间的增加而减少，极性组分占总表层的比例降低(P/(8+))%，分散组分占比例增加(18/(σ+ jun))%。等离子体表面处理器处理CPP薄膜时，极性组分占总表面层的比例降低，而分散组分占总表面层的比例增加。同时，当上下放置至少10h时，面层、极性分量和弥散分量几乎减少到最小。而10h后，极性分量和色散分量变化基本趋于平衡。
等离子体表面处理设备和技术在塑料和电子行业的应用包括塑料、高分子材料、夹层玻璃、织物、金属材料等，涉及各个领域，在塑料和塑料行业的一些制造行业的实际应用，等离子体表面处理设备和技术在汽车制造业中的应用。塑料塑料行业使用等离子体表面处理设备的应用案例:单表面预处理PP膜稳定耐用，可作为水基分散粘结剂;清洁塑料玩具、奶瓶、奶嘴、洗发水等塑料制品的等离子台面表面处理设备;3。
PGP方法首先利用等离子体作用激活表面，然后引入活性基团，再用接枝的方法将原表面上的多个活性支链连接起来形成一个新的表面。PPD法是通过控制工艺条件，将有机化合物气体形成等离子态，使其沉积在处理表面形成覆膜的方法。后两个是递增的。。
在正常情况下，一般认为一种物质具有三种状态：固态、液态和气态。这三种状态的区别在于物质中包含的能量。气态是物质三种状态中能量最高的状态。当给气态物质更多的能量（例如加热）时，就会形成等离子体。当达到等离子体状态时，气态分子分解成大量高反应性粒子。这些裂变不是永久性的。当用于形成等离子体的能量耗尽时，各种粒子重新组合形成原始气体分子。
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等离子体和固体、液体或气体一样，双津高附着力镀铝CPP膜是物质的一种状态，也叫做物质的第四态。对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。等离子体的"活性"组分包括：离子、电子、活性基团、激发态的核素（亚稳态）、光子等。等离子表面处理（点击了解详情）设备就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、改性、表面涂层等目的。
