同时，cob清洁高活性氧离子可以在键断裂后与分子链发生化学反应，形成活性基团的亲水表面，达到表面活化的目的。键断裂后，有机污染物元素与高活性氧离子相互作用，发生化学反应，形成CO、CO2、H2O等分子结构，从表面分离出来，起到表面清洁作用。氧气主要用于高分子材料的表面活化和有机污染物的去除，但不适用于易氧化的金属表面。真空等离子体状态下的氧等离子体呈淡蓝色，在部分放电状态下类似于白色。
目前，cob清洁设备采用传统CSP封装技术制造的手机摄像头像素已经不能满足人们的需求，而采用COB/COG/COF封装技术制造的手机摄像头模组承载了千万级像素，在手机上得到广泛应用。良率通常仅为工艺特性的 85% 左右。手机良品率低的主要原因是超声波设备与真空等离子设备相比，无法清洁细微碎屑或去除IR表面的污染物。支架和IR之间的粘合强度不高，IR表面氧化和超声波装置去除了旁观者袭击者和支架表面的污垢。
用N2、NH3、O2、SO2等气体对高分子材料进行等离子体处理，cob清洁设备可以改变表面的化学成分，引入相应的新官能团（-NH2、-OH、-COOH、-SO3H等），具有性。这些官能团是聚乙烯、聚丙烯、这些完全惰性的基材，如聚苯乙烯和聚四氟乙烯，可以作为官能团，提高表面极性、润湿性、结合性、反应性，并显着提高其使用价值。与氧等离子体不同，含氟气体的低温等离子体处理可以将氟原子引入基板表面，使基板具有疏水性。
制备了甲烷的一步C2烃响应，cob清洁实验结果优于化学催化方法。然而，C2烃类产物的选择性较低，反应机理尚不明确，因此在等离子体影响下甲烷对CO2氧化成C2烃类的反应仍需详细研究。发射光谱可用于在紫外可见波段进行有效检测。可以在不干扰等离子体清洁器中多种激发态物质的等离子体响应系统的情况下实现原位分析。
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因此，负载型碱土金属氧化物催化剂在等离子体离子条件下的催化活性顺序为BaO/Y-Al2O3>SrO/Y-Al2O3>CaO/Y-Al2O3>MgO/Y-Al2O3。碱土金属氧化物对C2烃产物分布的影响没那么多。乙炔是主要的 C2 碳氢化合物产品。表4-2 碱性氧化铝催化剂对反应的影响（单位：%）催化剂Xat Xco, sc。
TP玻璃盖板在LCD和触控面板组装，或者LCD和TP组装中，很多工艺需要在COG工艺中点胶ACF之前，需要配合等离子清洗等等离子处理技术，以保证ACF胶。涂层和引线键合的可靠性； ITO玻璃金手指上有机污染物的清洗； LCD模块键合过程中溢胶等有机污染物的去除； 等离子表面和偏光器件、防雾膜等的清洗； 堆叠前的活化。
卤素气体的替代方法是选择无腐蚀性的蚀刻气体，主要是利用物理冲击来蚀刻磁隧道结。电感耦合等离子体在等离子清洗机中具有较高的等离子密度，是常用的。目前主要研究CO/NH3混合物，等离子刻蚀产生的刻蚀副产物Fe(CO) 5 和Ni(CO) 4 具有挥发性，需要进行刻蚀后腐蚀处理，可以有效降低。但这种混合物的等离子体解离速率远低于卤素，蚀刻速率低，对蚀刻形状的控制较弱。
移动膜卷 高分子膜等离子处理技术去除（去除）表面的污垢，轻松打开高分子材料表面的化学键，使其成为自由基，与自由基相互作用，使原子和离子发生反应，产生新的功能如羟基（-OH）、氰基（-CN）、羰基（-C=O）、羧基（-COOH）或氨基（-NH3）基团。这两组化学基团是提高附着力的关键。这两个官能团提供了更好的润湿性并提高了聚合物表面与其他材料之间的结合强度。在这种情况下，羰基在铝的结合性能中起重要作用。
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另一方面，cob清洁随着材料表面活性基团数量的增加，材料表面的等离子蚀刻增加了亲水性。在某种程度上；另一方面表面接枝单体在等离子体作用下产生活性自由基，在材料表面引发活性自由基聚合。这显着增加了材料表面的-COOH和-OH等活性基团的数量，从而产生更好的亲水性。财产。一般来说，所用单体的亲水性是极好的。虽然冷等离子接枝后材料的亲水性有所提高，但也必须考虑单体本身对材料的影响，不应影响材料本身的理化性能。
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