线和空隙均为20&mu，CCP清洗设备用M的图形来测试蚀刻效果。本文中使用的石墨烯厚度为50nm，生长在二氧化硅上。蚀刻条件:70sccm的氧气和30sccm的氩气混合气体，偏压150W，压力55mt，利用光敏电阻通过两次自旋涂布20M厚的AZ4620图形获得。石墨烯的刻蚀速率约为nm / min，而AZ4620的光刻胶刻蚀速率为330nm / min，这也需要较厚的光刻胶或使用3层掩模结构。
早期采用CCl2F2气体进行刻蚀，CCP清洁机但由于选择比和等离子体对底层膜的损伤，开发了两种气体等离子体组合刻蚀方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。实际上，这两种方案都实现了更快的刻蚀速率和对InAlAs的高选择比，并且更容易在低压和高射频功率下实现。两种相似材料的不同腐蚀速率是由于反应产物的挥发性不同造成的。GaCl3和AsCl3均较易挥发，而AlCl3较难挥发，会影响进一步蚀刻。
Radu团队根据ICCD在10ns曝光下拍摄的放电图像，CCP清洁机发现在大气压下惰性气体He、Ne、Ar、氪的DBD间隙中可以实现辉光放电。除了辉光放电和丝状放电外，在辉光放电和丝状放电之间还有第三种放电方式，即柱状放电。上世纪末以来，国内电晕实验室、清华大学、大连理工大学、华北电力大学、西安交通大学、华中科技大学、中国科学院物理研究所、河北师范大学等已经开始学习APGD。
在线等离子清洗设备是在独立的基础上，CCP清洗设备以满足表面处理均匀性、一致性较高的质量要求，提高自动化程度，减少人工参与等需求而设计的。根据等离子体产生的激励方式可分为:电容耦合即CCP，电感耦合即ICP，电子回旋共振即ECR等等离子清洗机设备。根据等离子体发生器的工作频率，真空等离子体处理系统可分为中频、低频、高频、射频和微波三种。。
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补充说，常压等离子处理设备建议采取专用的空气流量控制器，选择设备要提供稳定的工作气体，那么真空等离子清洗机厂家一般都会选择质量流量控制器来实现对通入过程中的气体流量的控制，真空等离子清洗机一般会选用0~ 50 SCCM、0~ 500 SCCM，一些大型低压真空等离子处理设备也会选用0~1SLM规格的质量流量控制器。
◎可设定电源、清洗时间、气体流量、清洗真空等参数。◎气体质量流量计采用美国进口，输入输出按模拟量，量程在0-200sccm范围内可无级调节，针形阀控制工艺气体流量。◎清洗后有提示音。◎反射功率过大报警◎泵热过载报警;反应室漏气报警;电极采用高通量等离子体结构，牢固可靠，拆卸方便。◎反应室为矩形不锈钢室，水平放置电极，间距可调。真空泵采用双腔旋片式泵，极限真空度可在2Pa以下，一般外置。
低压真空等离子体发生器与大气等离子体发生器内部使用的独特电缆的区别:无论是大气等离子体发生器还是低压真空等离子体发生器，电缆的组成是必不可少的。数据信号的传输和开关电源电路的操作必须按电缆进行。设备中使用的电缆种类很多，其功能也各不相同。下面详细介绍低压真空等离子体发生器和大气等离子体发生器电缆的效果和选择。电缆的选择和使用保证了电力线路的安全可靠。清洁机器也不例外。
等离子体清洗不需要其他原材料,只要空气、氧、氢、氮和其他气体可以满足要求,易于使用和没有污染,同时比其他清洁机器有一个好处,那就是等离子体不仅可以进行表面清洗,更重要的是,可以提高表面活性。等离子体与物体表面的化学反应可以产生活性的化学基团，这些化学基团具有较高的活性，因此应用范围广泛，如提高材料表面粘接能力、提高焊接能力、粘接能力、亲水性等许多方面。
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