这类残渣的清除常运用有机化学方式来进行,根据各类化学试剂和化学物品配置的清洁液与金属材料离子反应,构成金属离子的络合物,摆脱晶圆表层。二、plasma金属氧化物 半导体芯片晶圆被暴露在含氧及水的前提条件下表层会构成自然的空气氧化层。这层空气氧化塑料薄膜不仅会阻碍半导体的很多工艺程序,还涵盖了某些金属材料残渣,在相应前提条件下,两者会迁移到晶圆中构成电力学瑕疵。
等离子清洗机是利用等离子体发生器产生低温等离子体进行表面改性的设备。应用高温对材料或通过加速电子、离子等方式向材料提供能量，UV打印油墨附着力中性材料被电离成大量带电粒子(电子、离子)和中性粒子混合组成的混合状态称为等离子体。等离子体整体上是电中性的，它是除固体、液体和气体外的第四种物质状态。等离子体中粒子的能量通常为几到几十电子伏，大于高分子材料的键能，能完全打破有机大分子的化学键而形成新的键。
等离子体在HDI板盲孔清洗时一般分为三步处理，UV打印油墨附着力第一阶段用高纯的N2产生等离子体，同时预热印制板，使高分子材料处于一定的活化态；第二阶段以O2、CF4为原始气体，混合后产生O、F等离子体，与丙烯酸、PI、FR4、玻璃纤维等反应，达到去钻污的目的；第三阶段采用O2为原始气体，生成的等离子体与反应残余物使孔壁清洁。在等离子清洗过程中，除发生等离子化学反应，等离子体还与材料表面发生物理反应。
2）将等离子体清洗用气体引入真空室内，uv打印油墨附着力不好保持室内压力稳定。根据清洗材料的不同，可分别使用氧气、氩气、氢气、氮气、四氟化碳等气体。3）在真空室内电极与接地装置之间施加高频电压，使气体被击穿，通过辉光放电产生等离子体，使真空室内产生的等离子体完全覆盖待处理工件，开始清洗作业，清洗处理一般持续几十秒至几十分钟4）清洗后切断电源，通过真空泵将气体和气化的污物泵出。
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这类污染物通常会在晶圆表面形成有机薄膜，以防止清洗液到达晶圆表面，导致晶圆表面清洗不彻底，使得清洗后的晶圆表面上金属杂质等污染物保持完好。此类污染物的去除通常在清洁过程的一开始的步骤进行，主要使用硫酸和过氧化氢。1.3金属：半导体技术中常见的金属杂质包括铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等。这些杂质的来源主要包括各种容器、管道、化学试剂以及半导体晶片加工过程中的各种金属污染。
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