成品在使用过程中，未经过电晕处理的哑膜点火瞬间温度升高，会在粘接面的微小缝隙中产生气泡，损坏点火线圈，严重的还会引起爆炸。经过等离子体处理后，不仅可以去除表面难处理的挥发油渍，还可以大大提高骨架的表面活性，即提高骨架与环氧树脂的结合强度，避免产生气泡，提高缠绕后漆包线与骨架触点的焊接强度。这样，点火线圈在生产过程各方面的性能都得到了明确（明显）的改善，提高了可靠性和使用寿命。
芯片与基板粘合后，经过电晕处理的塑料经过高温固化，其上的污染物很可能包括微颗粒和氧化性物质等，这些污染物从物理和化学反应中造成引线与芯片、基板之间焊接不完全或粘合不良，导致粘合强度不足。引线键合前用射频低温等离子体清洗可明显提高表面活性，进而提高键合丝的键合强度和张力均匀性。键合工具头的工作压力可以较低（当有污染物时，键合头需要很大的工作压力才能穿透污染物），在某些情况下还可以降低键合温度，从而提高效率，节约成本。
活性粒子有许多不同类型，未经过电晕处理的哑膜它们比正常化学反应更丰富、更高能，更容易与接触物质的表面发生反应，因此，通常采用等离子体对材料表面进行改性，使材料暴露在非聚合气体等离子体中，等离子体轰击材料表面，引起材料表面结构的许多变化，从而实现其活化改性。而且，很多材料经过等离子体改性后，其功能层（几到几百纳米）极薄，不会影响整体宏观性能，属于无损工艺。
另一个特点是提高了填料边缘高度，未经过电晕处理的哑膜提高了包装机械强度，降低了由于材料之间热膨胀系数不同而产生的界面间剪切应力，提高了产品的可靠性和寿命。4.3切屑粘连的清洗等离子体表面清洗可以在芯片键合前使用，因为未经处理的数据表明一般的疏水性和惰性，其表面键合功能一般较差，键合过程中攻击界面上的孔洞非常简单。
经过电晕处理的塑料
等离子体处理后，CIs的高能端尾消失，我们发现未经等离子体处理的SiC表面Cls峰相对于等离子体处理后迁移0.4ev，这是由于表面存在C/C-H化合物所致。未通过等离子体处理的Si-C/Si-O峰强度比（面积比）为0.87。处理后的Si-C/Si-O的XPS峰强比（面积比）为0.21，比未处理的Si-C/Si-O降低75%。湿法处理的表面Si-O含量明显高于等离子体处理的表面。
它不仅是低温等离子体出现在物体上的第四种状态，而且人们已经认识到低温等离子体存在于现实中多个应用领域的结合。低温等离子体部分或完全电离混合气体，而自由电子、离子正负电荷全部冲入，宏观角度为中性电。。等离子体表面清洗可用于在键合前对芯片进行处理。由于未经处理的材料表现出一般的疏水性和惰性，其表面结合性能通常较差，在结合过程中容易在界面产生空洞。
采用等离子清洗技术，一方面在点胶封装过程中可以对电声器件的涂层表面进行粗糙化处理，它提高了器件的表面粗糙度，提高了涂层表面的结合能，大大提高了其亲水性能，有利于胶液的流动和平铺，提高了结合效果，有利于减（降）胶工艺过程中气泡的形成，有利于器件工艺之间的分支结合；另一方面，在锡丝焊接过程中，物理和化学反应模式并存，在多次烘烤和固化时可有效去除表面氧化层和有机污染物，从而提高锡丝焊丝的结合张力，增强引线、焊点和基板之间的焊接强度，进一步提高成品率，增加生产效率。
鉴于晶圆清洗是半导体制程技术中最重要、最重要的制程工序，同时其制程技术产品的优劣将直接影响电子元件的合格率、稳定性和安全性，因此全球各大企业和科研组织对清洁制程技术的科学研究一直在持续进行。等离子体清洗机作为一种现代干法试验清洗技术，具有环保、节能的特点。随着微电子工业的快速发展，等离子体清洗机在半导体芯片中的使用也逐渐增多。半导体中需要一些有机和无机化合物。
未经过电晕处理的哑膜
达到一定真空度后，经过电晕处理的塑料引入反应气体，反应气体电离形成等离子体，与晶圆表面发生化学物理反应，产生的挥发性物质被抽走，使晶圆表面清洁亲水。1.用于清洗晶圆的等离子清洗机：1-1：晶圆的等离子清洗在0级以上的洁净室中进行，对颗粒要求极高。任何颗粒超标都会在晶圆上造成无法弥补的缺陷。
在等离子体的高温下，未经过电晕处理的哑膜由于参与反应的材料不受电极材料的污染，可用于精炼高纯耐火材料，如熔炼蓝宝石、无水石英、拉丝单晶、光纤，精炼铌、钽、海绵钛等。②高频等离子体速度低（约0～10m/s)，弧柱直径大。近年来，它在实验室中得到了广泛的应用，便于大量的等离子体过程实验。工业上制备金属氧化物、氮化物、碳化物或冶炼金属时，反应物长时间停留在高温区，使气相反应充分。
